Published January 2004
| Version v1
Journal article
Time-resolving spectroscopy of InGaAs/AlGaAs heterostructures with asymmetric quantum wells
Creators
- 1. RAN, Inst. Fiziki Mikrostruktur, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
- 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Tekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 3. RAN, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 4. Sheffildskij Univ., Sheffild (United Kingdom)
Description
The charge carriers lifetimes in the basic and excited electron subbands of the quantum well with the complex energy profile are determined in the basis of the experimental data on the time dependence of the interband photoluminescence dependence. The carriers lifetime values obtained made it possible to compare the lines, observed in the spectra, and possible optical transitions in the systems as well as to study the processes, occurring in the asymmetric quantum wells by filling the excited electron states. The obtained lifetimes relative to the basic transition by the value order correspond to the times in the voluminous GaAs
Abstract (Russian)
Времена жизни носителей заряда в основной и возбужденной электронных подзонах квантовой ямы со сложным энергетическим профилем определены на основе экспериментальных данных о временной зависимости интенсивности межзонной фотолюминесценции. Полученные значения времен жизни носителей позволили соспоставлять наблюдаемые в спектрах линии и возможные в системе оптические переходы, а также изучать процессы, происходящие в асимметричных квантовых ямах при заполнении возбужденных электронных состояний. Полученные времена жизни по отношению к основному переходу по порядку величины соответствуют временам в объемном GaAsAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Спектроскопия временного разрешения гетероструктур InGaAs/AlGaAs с асимметричными воронкообразными квантовыми ямами
Publishing Information
- Journal Title
- Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
- Journal Volume
- 68
- Journal Issue
- 1
- Journal Page Range
- p. 58-60
- ISSN
- 1026-3489
- CODEN
- IRAFEO
Conference
- Title
- Nanophotonics
- Original Conference Title
- Mezhdunarodnoe soveshchanie: Nanofotonika
- Acronym
- International workshop
- Dates
- Mar 2003
- Place
- Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37027362
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ALUMINIUM ARSENIDES; BAND THEORY; CARRIER LIFETIME; DIAGRAMS; ELECTRONIC STRUCTURE; EMISSION SPECTRA; ENERGY-LEVEL TRANSITIONS; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ARSENIDES; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM WELLS
- Descriptors DEC
- ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; EMISSION; GALLIUM COMPOUNDS; INDIUM COMPOUNDS; INFORMATION; LIFETIME; LUMINESCENCE; NANOSTRUCTURES; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPECTRA
Optional Information
- Notes
- 9 refs., 3 figs.