Published March 1999 | Version v1
Journal article Metadata-only

Optical and photoelectric properties of Zn1-xFexTe crystals

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Natsional'noj Akademii Nauk Ukrainy, Kiev (Ukraine)
  • 2. L'vovskij Gosudarstvennyj Univ., L'vov (Ukraine)

Description

Investigations were made for the first time of both optical (4.2 K) and photoelectric (77 K) properties of a new Van Vleck semi-magnetic semiconductors Zn1-xFexTe (x ≤ 0.046). It was shown that the structure of longwave edge absorption as well as the spectra of photo-galvanic current are determined by photoionization transitions with participation of different charge states of Fe atoms (Fe±, Fe2+ and Fe3+). The impurity-concentration dependence of the energy position of a free exciton and the positions of the ground states of Fe2+ (Eν - 0.44 eV) and Fe+ (Ec - 0.28 eV) ions is obtained. It is noted that the solubility of iron in ZnTe crystals is limited by formation of FeTe clusters

Abstract (Russian)

Впервые исследованы оптические (4,2 K) и фотоэлектрические (77 K) свойства новых ван-флековских полумагнитных полупроводников Zn1-xFexTe (x ≤ 0,046). Показано, что структура длинноволнового края поглощения и спектра фотогальванического тока обусловлена фотоионизационными переходами с участием различных зарядовых состояния Fe (Fe±, Fe2+ и Fe3+). Определена концентрационная зависимость энергетического положения свободного экситона, а также положения основных уровней ионов Fe2+ (Eν + 0.44 эВ) и Fe+ (Ec - 0.28 эВ). Отмечено, что предельная растворимость атомов Fe в ZnTe обусловлена образованием кластеров FeTe

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов Зн

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
33
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 285-288
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
31015628
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ABSORPTION SPECTRA; BRIDGMAN METHOD; CONCENTRATION RATIO; CRYSTAL LATTICES; IRON TELLURIDES; MAGNETIC PROPERTIES; PHOTOELECTRIC EFFECT; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SOLID SOLUTIONS; ZINC TELLURIDES
Descriptors DEC
CHALCOGENIDES; CRYSTAL GROWTH METHODS; CRYSTAL STRUCTURE; DISPERSIONS; IRON COMPOUNDS; MATERIALS; MIXTURES; PHYSICAL PROPERTIES; SOLUTIONS; SPECTRA; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TRANSITION ELEMENT COMPOUNDS; ZINC COMPOUNDS

Optional Information

Notes
12 refs., 3 figs.