Published May 2000 | Version v1
Journal article

Effect of tin irradiation on the microdefect structure in silicon structure

  • 1. Nizhegorodskij Gosudarstvennyj Univ., Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Effect of ion irradiation on the density of growth and manufacturing microdefects and on their profile of depth distribution of n- and p-type conductivity silicon crystals was studied. Silicon wafers were exposed at room temperature to irradiation by 60 keV energy and 6.25 x 1015 cm-2 dose boron ions. Irradiation n- and p-type conductivity silicon dislocation-free crystals was determined to result in reduction of microdefect density in the range neighboring to the implanted layer. Microdefects dissolved more efficiently in boron doped crystals

Abstract (Russian)

Исследовано влияние ионного облучения на плотность ростовых и технологических микродефектов и на их профиль распределения по глубине кристаллов кремния n- и р-типа проводимости. Пластины кремния подвергали облучению при комнатной температуре ионами бора с энергией 60 кэВ и дозой 6.25 х 1015 см-2. Установлено, что облучение бездислокационных кристаллов кремния приводит к снижению концентрации микродефектов и увеличению микротвердости в областях, прилегающих к имплантированному слою. Более эффективно растворение микродефектов происходит в кристаллах, легированных бором

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние ионного облучения на микродефектную структуру кристаллов кремния

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
36
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 522-525
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

Optional Information

Notes
5 refs., 5 figs.