Published August 2005 | Version v1
Journal article

p-i-n Model of CdTe/CdS heterostructures

  • 1. Karakalpakskij Gosudarstvennyj Pedagogicheskij Inst., Nukus (Uzbekistan)
  • 2. Fiziko-Tekhnicheskij Inst., Tashkent (Uzbekistan)

Description

CdTe/CdS heterostructures are analyzed in terms of a p-i-n model in which the i layer consists of a CdTe1-xSx solid solution resulting from Te and S diffusion into CdS and CdTe, respectively. The lattice parameters of the solid solution are determined. The i layer is shown to be too thick for tunneling

Abstract (Russian)

Предложена p-i-n-моделъ переходов в гетероструктуре CdTe/CdS, i-слой которой представляет собой твердый раствор CdTe1-xSx, формирующийся из-за диффузии атомов Те и S в CdS и CdTe соответственно. Определены параметры решетки сформировавшегося твердого раствора. Показано, что транспорт тока не подчиняется туннельному механизму из-за того, что толщина i-слоя больше, чем необходимо для туннелирования

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
p-i-n-модель переходов в гетероструктуре CdTe/CdS

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
41
Journal Issue
8
Journal Page Range
p. 915-917
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

Optional Information

Notes
9 refs., 3 figs.