Published May 2004
| Version v1
Journal article
Spin-containing defects and conductivity in hydrogenated nanocrystalline silicon films with carbon additives
- 1. RAN, Inst. Biokhimicheskoj Fiziki, Moscow (Russian Federation)
- 2. Korea Advanced Inst. of Science and Technology, Daejeon (Korea, Republic of)
Description
Paramagnetic defects and the dark conductivity behavior have been studied in hydrogenated nanocrystalline silicon films with carbon addition (nc-SiC:H) prepared by using the photo-chemical vapor deposition (photo-CVD) technique. It has been found that the increase in carbon content in nc-SiC:H gives rise to the phase transition from the crystalline structure to the amorphous one. As the crystalline fraction decreased, the concentration of spin defects and the dark conductivity decreased too
Abstract (Russian)
Исследовано поведение парамагнитных дефектов и темновой проводимости в гетерогенных образцах гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода (nc-SiC:H), полученных методом фотостимулированной газовой эпитаксии (photo-CVD). Показано, что при увеличении содержания углерода в nc-SiC:H происходит фазовый переход структуры от нанокристаллической к аморфной, что приводит к уменьшению концентрации спиновых дефектов и значительному понижению величины темновой проводимостиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости в плёнках гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 5
- Journal Page Range
- p. 547-549
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37064510
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- CONCENTRATION RATIO; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL-PHASE TRANSFORMATIONS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON SPIN RESONANCE; EPITAXY; HYDROGEN ADDITIONS; NANOSTRUCTURES; SILICON CARBIDES; SPECTRA; SPIN; THIN FILMS
- Descriptors DEC
- ANGULAR MOMENTUM; CARBIDES; CARBON COMPOUNDS; CRYSTAL GROWTH METHODS; CRYSTAL STRUCTURE; DIMENSIONLESS NUMBERS; ELECTRICAL PROPERTIES; FILMS; MAGNETIC RESONANCE; PARTICLE PROPERTIES; PHASE TRANSFORMATIONS; PHYSICAL PROPERTIES; RESONANCE; SILICON COMPOUNDS
Optional Information
- Notes
- 14 refs., 3 figs.