Published July 7, 1983
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Patent
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Process for producing high-purity silicon
Description
High-purity silicon is produced according to the invention by decomposition of its gaseous compounds, e.g. by decomposition of a mixture of hydrogen and trichlorosilane at 1150 to 12500C in a device with groups of carrier elements arranged in parallel and cross-flowed by electric current. The current is kept constant by means of throttle elements arranged in the parallel circuits. The decomposition temperature is reached by a slow, stepwise increase of the initial temperature. (RB)
Abstract (German)
Hochreines Silicium wird gemaess der Erfindung durch Zersetzung seiner gasfoermigen Verbindungen, z.B. Zersetzung einer Wasserstoff-Trichlorsilanmischung bei etwa 1150 bis 12500C, hergestellt in einer Einrichtung mit Traegerkoerpergruppen, die in Parallelschaltung angeordnet von Strom durchflossen werden. Durch Zwischenschalten von Stromteilerdrosseln in die aufgefaecherten Parallelstromkreise wird der Strom in den Traegergruppen jeweils gleichgehalten. Die Abscheidetemperatur der Staebe entsprechend der Zersetzungstemperatur der eingesetzten Verbindung wird durch langsames, stufenweises Steigern des vorgegebenen Sollwertes fuer die Temperatur erreicht. (RB)Files
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Additional details
Additional titles
- Original title (German)
- Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium
Publishing Information
- Imprint Pagination
- 4 p.
- IPC:
- Int. Cl. C01B 33/02.
- IPC
- Int. Cl. C01B 33/02.
- Patent number
- DE patent document 2928456/C/
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 19001238
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- DECOMPOSITION; DEPOSITION; ELECTRIC CURRENTS; IMPURITIES; PRODUCTION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; SILICON COMPOUNDS; TEMPERATURE CONTROL
- Descriptors DEC
- CHEMICAL REACTIONS; CONTROL; CURRENTS; ELEMENTS; MATERIALS; SEMIMETALS