Collective state of interwall excitons on GaAs/AlGaAs double quantum wells under pulse resonant excitation
- 1. Inst. Fiziki Tverdogo Tela RAN, Chernogolovka, Moskovskaya Obl. (Russian Federation)
- 2. Microelectronic Centre, Lyngby (Denmark)
Description
The time evolution and kinetics of the photoluminescence (PL) spectra of the interwall excitons under the pulse resonant excitation of the interwall excitons are studied in the GaAs/AlGaAs binary quantum well. It is established, that the collective exciton phase originates with the time delay relative to the exciting pulse (several nanoseconds), which is conditioned by the density and temperature relaxation to the equilibrium values.The origination of the collective phase of the interwall excitons is accompanied by the strong narrowing of the corresponding photoluminescence line, the superlinear growth of its intensity and large time of change in the degree of the circular polarization.The collective exciton phase originates at the temperatures < 6 K and the interwall excitons densities 3 x 1010 cm-2
Abstract (Russian)
В двойных GaAs/AlGaAs квантовых ямах исследуется временная эволюция и кинетика спектров фотолюминесценции (ФЛ) межъямных экситонов при импульсном резонансном возбуждении внутриямных экситонов. Установлено, что коллективная экситонная фаза возникает с временной задержкой относительно возбуждающего импульса (несколько наносекунд), которая обусловлена релаксацией плотности и температуры к равновесным значениям. Возникновение коллективной фазы межъямных экситонов сопровождается сильным сужением соответствующей линии фотолюминесценции, сверхлинейным ростом ее интенсивности и большим временем изменения степени циркулярной поляризации. Коллективная экситонная фаза возникает при температурах < 6 K и плотностях межъямных экситонов 3 х 1010 см-2Additional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Коллективное состояние межъямных экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при импульсном резонансном возбуждении
Publishing Information
- Journal Title
- Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
- Journal Volume
- 75
- Journal Issue
- 3-4
- Journal Page Range
- p. 233-238
- ISSN
- 0370-274X
- CODEN
- PZETAB
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045548
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ALUMINIUM ARSENIDES; COLLECTIVE EXCITATIONS; EMISSION SPECTRA; EXCITONS; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; LINE NARROWING; PHOTOLUMINESCENCE; POLARIZATION; QUANTUM ELECTRONICS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TIME DEPENDENCE
- Descriptors DEC
- ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; EMISSION; ENERGY-LEVEL TRANSITIONS; EXCITATION; GALLIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; QUASI PARTICLES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 17 refs., 4 figs.