Published February 2003
| Version v1
Journal article
Some peculiarities of influence of phosphorus ion doping on photoluminescence of SiO2:Si layers
Creators
- 1. Nauchno-Issledovatel'skij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. Nizhegorodskogo Gosudarstvennogo Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
Description
The effect of the phosphorus ion doping on the photoluminescence of the SiO2 with the silicon quantum dots is studied. It is shown, that the photoluminescence intensity of the phosphorus-doped samples nonmonotonously depends on the temperature of the consecutive annealing and it may be higher or lower one as compared to the photoluminescence intensity of unalloyed samples. It is theoretically shown, that the quantum-mechanical effect, related to the Coulomb interaction in the nanocrystals, is one of the factors, contributing to the increase by the phosphorus doping
Abstract (Russian)
Исследовано влияние ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2 с квантовыми точками кремния. Показано, что интенсивность фотолюминесценции легированных фосфором образцов немонотонно зависит от температуры последовательного отжига и может быть как больше, так и меньше, чем интенсивность фотолюминесценции нелегированных образцов. Теоретически показано, что один из факторов, способствующих усилению фотолюминесценции при легировании фосфором, - это квантово-механический эффект, связанный с кулоновским взаимодействием в нанокристаллахAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO
Publishing Information
- Journal Title
- Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
- Journal Volume
- 67
- Journal Issue
- 2
- Journal Page Range
- p. 184-186
- ISSN
- 1026-3489
- CODEN
- IRAFEO
Conference
- Title
- The workshop Nanophotonics
- Original Conference Title
- Soveshchanie Nanofotonika
- Dates
- Mar 2002
- Place
- Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35057032
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ANNEALING; CRYSTAL DOPING; ELECTRONIC STRUCTURE; ION IMPLANTATION; PHOSPHORUS IONS; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM MECHANICS; SILICA; SILICON; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLES; ELEMENTS; EMISSION; HEAT TREATMENTS; IONS; LUMINESCENCE; MECHANICS; MINERALS; OXIDE MINERALS; PHOTON EMISSION; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 9 refs., 1 fig.