Published December 2002
| Version v1
Journal article
Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence properties of InAsSb/AlSbAs quantum wells
Creators
- 1. Rossijskaya Akademiya Nauk, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 2. Naval Research Lab., Washington (United States)
Description
Heterostructures with a single InAs1-xSbx/AlSb1-yAsy quantum well have been grown by molecular beam epitaxy on GaSb (001) substrates and studied by x-ray diffraction, transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy. An intense luminescence with the peak wavelength ranging from 2 to 4.5 μm (FWHM is of 30 - 50 meV) as the quantum well width varies from 4 to 20 nm, respectively, has been observed at 80 K. The calculation of the fundamental absorption edge of such quantum wells over wide range of x and y values is carried out. Experimental and theoretical dependences of the energy gap width of InAsSb/AlSbAs quantum well on its thickness are in good agreement
Abstract (Russian)
Гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами InAs1-xSbx/AlSb1-yAsy были получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaSb (001) и исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. В структурах обнаружена интенсивная люминесценция при температуре 80 К с полушириной пика 30 - 50 мэВ и длиной волны в диапазоне 2 - 4.5 μм в зависимости от толщины квантовой ямы, которая варьировалась от 4 до 20 нм соответственно. Проведен расчет края фундаментального поглощения таких квантовых ям в широком диапазоне составов х и у. Получено хорошее соответствие между экспериментальными и теоретическими зависимостями ширины запрещенной зоны InAsSb/AlSbAs-квантовой ямы от ее толщиныAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlSbAs
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 36
- Journal Issue
- 12
- Journal Page Range
- p. 1470-1474
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35043239
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ALUMINIUM ARSENIDES; CONCENTRATION RATIO; ENERGY GAP; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ANTIMONIDES; INDIUM ARSENIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SOLID SOLUTIONS; X-RAY DIFFRACTION
- Descriptors DEC
- ALUMINIUM COMPOUNDS; ANTIMONIDES; ANTIMONY COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; COHERENT SCATTERING; CRYSTAL GROWTH METHODS; DIFFRACTION; DISPERSIONS; EMISSION; EPITAXY; HOMOGENEOUS MIXTURES; INDIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; MIXTURES; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; SCATTERING; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SOLUTIONS
Optional Information
- Notes
- 10 refs., 5 figs.