Published August 25, 2010 | Version v1
Journal article Metadata-only

Effects of low-energy ion irradiation at molecular beam heteroepitaxy of Ge/Si

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov Sibirskogo Otdeleniya RAN, Novosibirsk (Russian Federation)

Description

Change in morphology of Ge pseudomorphic film surface on Si during irradiation by intrinsic low-energy (230 eV) ions in the process of heteroepitaxy from molecular beams is studied experimentally by the method of fast electrons diffraction on reflection. It was revealed that irradiation by a continuous ion beam results in decrease in Ge film critical thickness, at which transition from two-dimensional-layer to three-dimensional growth occurs. It was ascertained that a pulse (0.5 s) ionic effect at the time moments corresponding to degree of the layer filling > 0.5 brings about increase in the mirror reflex intensity, which corresponds to decrease in the growth surface roughness

Abstract (Russian)

Методом дифракции быстрых электронов на отражение экспериментально исследовано изменение морфологии поверхности псевдоморфной пленки Ge на Si при облучении собственными низкоэнергетическими (230 эВ) ионами в процессе гетероэпитаксии из молекулярных пучков. Обнаружено, что облучение непрерывным пучком ионов приводит к уменьшению критической толщины пленки Ge, при которой происходит переход от двумерно-слоевого к трехмерному росту. Установлено, что импульсное (0,5 с) ионное воздействие в моменты времени, соответствующие степени заполнения слоя > 0,5, вызывает усиление интенсивности зеркального рефлекса, что соответствует снижению шероховатости поверхности роста

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ге/Си из молекулярных пучков

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
72
Journal Issue
3-4
Journal Page Range
p. 190-194
ISSN
0370-274X
CODEN
PZETAB

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
32047263
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
CRYSTAL GROWTH; ELECTRON DIFFRACTION; EV RANGE 10-100; GERMANIUM; GERMANIUM IONS; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; ROUGHNESS; SILICON; SUBSTRATES; THIN FILMS
Descriptors DEC
CHARGED PARTICLES; COHERENT SCATTERING; CRYSTAL GROWTH METHODS; DIFFRACTION; ELEMENTS; ENERGY RANGE; EPITAXY; EV RANGE; FILMS; IONS; METALS; SCATTERING; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMIMETALS; SURFACE PROPERTIES

Optional Information

Notes
14 refs., 2 figs.