Published October 2006
| Version v1
Journal article
Peculiarities of erbium ion photoluminescence in structures with silicon nanocrystals
Creators
- 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Fizicheskij Fakul'tet, Moscow (Russian Federation)
- 2. Max-Plank-Institute fuer Mikrostrukturphysik, Halle (Germany)
Description
Photoluminescence properties of erbium doped silicon dioxide layers containing silicon nanocrystals have been investigated. It has been established that the intensity and mean lifetimes of Er3+ depend on the photoluminescence, the nanocrystal size, the optical pump intensity and temperature. The results obtained are explained by the influence of local environment of the Er3+ ions as well as by a nonradiative deexcitation of the ions due to the energy back transfer and the Auger-process
Abstract (Russian)
Исследованы фотолюминесцентные свойства легированных эрбием слоев диоксида кремния, содержащих кремниевые нанокристаллы. Установлено, что интенсивность и среднее время жизни фотолюминесценции ионов Er3+ зависят от размеров нанокристаллов, интенсивности оптической накачки и температуры. Полученные результаты объясняются как влиянием локального окружения ионов Er3+, так и проявлением безызлучательного девозбуждения ионов вследствие обратной передачи энергии в твердотельную матрицу и оже-процессаAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Особенности фотолуминесценции ионов эрбия в структурах с кремниевыми нанокристаллами
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 40
- Journal Issue
- 10
- Journal Page Range
- p. 1224-1228
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 39021445
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- CRYSTALS; EMISSION SPECTRA; ERBIUM ADDITIONS; ERBIUM IONS; LIFETIME; MULTICHARGED IONS; NANOSTRUCTURES; OPTICAL PUMPING; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON OXIDES; SIZE; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TIME DEPENDENCE
- Descriptors DEC
- ALLOYS; CHALCOGENIDES; CHARGED PARTICLES; EMISSION; ERBIUM ALLOYS; IONS; LUMINESCENCE; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; PHOTON EMISSION; PUMPING; RARE EARTH ADDITIONS; RARE EARTH ALLOYS; SILICON COMPOUNDS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 13 refs., 6 figs.