Published October 2006 | Version v1
Journal article

Peculiarities of erbium ion photoluminescence in structures with silicon nanocrystals

  • 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Fizicheskij Fakul'tet, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Max-Plank-Institute fuer Mikrostrukturphysik, Halle (Germany)

Description

Photoluminescence properties of erbium doped silicon dioxide layers containing silicon nanocrystals have been investigated. It has been established that the intensity and mean lifetimes of Er3+ depend on the photoluminescence, the nanocrystal size, the optical pump intensity and temperature. The results obtained are explained by the influence of local environment of the Er3+ ions as well as by a nonradiative deexcitation of the ions due to the energy back transfer and the Auger-process

Abstract (Russian)

Исследованы фотолюминесцентные свойства легированных эрбием слоев диоксида кремния, содержащих кремниевые нанокристаллы. Установлено, что интенсивность и среднее время жизни фотолюминесценции ионов Er3+ зависят от размеров нанокристаллов, интенсивности оптической накачки и температуры. Полученные результаты объясняются как влиянием локального окружения ионов Er3+, так и проявлением безызлучательного девозбуждения ионов вследствие обратной передачи энергии в твердотельную матрицу и оже-процесса

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Особенности фотолуминесценции ионов эрбия в структурах с кремниевыми нанокристаллами

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
40
Journal Issue
10
Journal Page Range
p. 1224-1228
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
13 refs., 6 figs.