Published November 1975 | Version v1
Journal article

Tracer diffusion and defects in the orthosilicate Co2SiO4

  • 1. Technische Univ. Clausthal, Clausthal-Zellerfeld (F.R. Germany). Inst. fuer Theoretische Huettenkunde und Angewandte Physikalische Chemie

Description

With the silicate Co2SiO4 as an example it is investigated how far the issues of the defect theory of ternary ionic crystals can be transferred to simple crystalline members of an important class of materials whose essential structure element is an anion group (SiO4-tetrahedron). The results on the diffusion of the stable isotope Si-30 and of the radioactive isotope Co-60 are used to derive the point defect necessary for the transport of silicon; furtheron the mechanism of the solid state reaction between the binary starting oxides is discussed. (orig.)

Abstract (German)

Am Beispiel des Inselsilikats Co 2 SiO 4 wird untersucht, inwieweit sich die Aussagen der Fehlordnungstheorie ternärer lonenkristalle auf einfache kristalline Vertreter einer wichtigen Stoffklasse übertragen lassen, deren wesentliches Bauelement eine Anionengruppe (SiO 4 ‐Tetraeder) ist. Die Ergebnisse der Diffusion des stabilen Isotops Si‐30 und des radioaktiven Isotops Co‐60 werden benutzt, um den für den Siliziumtransport notwendigen Punktfehler zu ermitteln, sowie zur Deutung des Mechanismus der Bildung des Silikats aus den binären Ausgangsoxiden im festen Zustand herangezogen.

Additional details

Additional titles

Original title (German)
Tracerdiffusion und Fehlordnung in dem Orthosilikat Co

Identifiers

Publishing Information

Journal Title
Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie
Journal Volume
79
Journal Issue
11
Series
Ber. Bunsenges. Phys. Chem.
Journal Page Range
1115-1119
ISSN
0005-9021

Optional Information

Notes
5 figs.; 13 refs.; Updated automatically by Metadata and Full-Text Enrichment Agent