Published January 18, 1974 | Version v1
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Irradiation for swift switching thyristors

Creators

Description

L'invention concerne la fabrication des semi-conducteurs. Ce procede comprend les etapes qui consistent a localiser un corps semi-conducteur de telle sorte qu'une de ses surfaces principales soit exposee a une source de radiations, puis a irradier ce corps semi-conducteur avec une intensite d'au moins 1 MeV pour arriver a un dosage de 1x1013 a 2x1014 electrons/cm2. Ceci est applicable aux thyristors

Additional details

Additional titles

Original title (French)
Irradiation pour thyristors a commutation rapide

Publishing Information

Imprint Pagination
13 p.
IPC:
Int. Cl. H01l7/54; H01l11/10.
IPC
Int. Cl. H01l7/54; H01l11/10.
Patent number
FR patent document 2214970/A/

INIS

Country of Publication
France
Country of Input or Organization
France
INIS RN
6213833
Subject category
S46: INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY;
Resource subtype / Literary indicator
Non-conventional Literature
Descriptors DEI
ELECTRON BEAMS; FABRICATION; IRRADIATION; THYRISTORS
Descriptors DEC
BEAMS; LEPTON BEAMS; PARTICLE BEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Optional Information

Notes
Available from Institut National de la Propriete Industrielle, Paris (France); priority claim: 18 Jan 1973, USA.