Published April 2005 | Version v1
Journal article

Raman spectra of GaSe monocrystals, subjected to action of laser radiation

  • 1. NAN Ukrainy, Inst. Fiziki Poluprovodnikov im. V.E. Lashkareva, Kiev (Ukraine)

Description

Features of a crystalline structure of GaSe layered crystals have been analyzed. The opportunity of identification of the phase transitions occurring at the change of the temperature, pressure and structure is considered by Raman scattering method. The influence of high-temperature annealing and pulse laser irradiation on Raman spectra is investigated. Formation of areas with another polytype structure and areas with residual stresses after pulse irradiation is revealed

Abstract (Russian)

Проведен анализ особенностей кристаллической структуры слоистых кристаллов GaSe. Рассмотрена возможность идентификации фазовых переходов, происходящих при изменении температуры, давления и состава, методом резонансного комбинационного рассеяния света. Исследовано влияние высокотемпературного отжига и импульсного лазерного облучения на спектры комбинационного рассеяния света. Обнаружено образование областей с другим составом и областей с остаточным напряжением после импульсного лазерного облучения

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
39
Journal Issue
4
Journal Page Range
p. 405-408
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
18 refs., 2 figs.