Published September 2005
| Version v1
Journal article
On the mechanism of electroluminescence in silicon diodes with large dislocation density
Creators
- 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov im. V.E. Lashkareva Natsional'noj Akademii Nauk Ukrainy, Kiev (Ukraine)
Description
A new concept is proposed to explain the dislocation influence on electroluminescence in silicon diodes. It is based on the consideration of a spatial correlation between injected electrons and holes which recombine inside the dislocation core. Such correlation leads to an increase in the probability of electron-hole pairs radiative recombination. Cases of non-edge and edge electroluminescence are considered. Calculation results of the quantum efficiency depending on dislocation concentrations and temperature dependences of diffusion and tunnel components of the total current in silicon diodes with the large dislocation density are presented
Abstract (Russian)
Предложена новая концепция, позволяющая объяснить влияние дислокаций на электролюминесценцию кремниевых диодов. Сущность ее заключается в учете пространственной корреляции между инжектированными электронами и дырками, которые рекомбинируют внутри дислокаций. Рассмотрены случаи некраевой и краевой электролюминесценции. Представлены результаты расчетов квантовой эффективности в зависимости от концентрации дислокаций и температурных зависимостей диффузионной и туннельной составляющих полного тока в кремниевых диодах с большой концентрацией дислокацийAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- О механизме электролюминесценции в кремниевых диодах с большой концентрацией дисслокаций
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 39
- Journal Issue
- 9
- Journal Page Range
- p. 1132-1137
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37054744
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- DISLOCATIONS; ELECTROLUMINESCENCE; QUANTUM EFFICIENCY; RECOMBINATION; SILICON DIODES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
- Descriptors DEC
- CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; EFFICIENCY; EMISSION; LINE DEFECTS; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 15 refs., 4 figs.