Published January 2002 | Version v1
Journal article Metadata-only

Peculiarities of hopping conduction in p-Hg0.78Cd0.22Te crystals at binary doping

Creators

  • 1. Kremenchugskij Gosudarstvennyj Politekhnicheskij Univ., Kremenchug (Ukraine)

Description

Electric conductivity and the Hall effect within the 4.2-125 K temperature range have been investigated in p-Hg0.78Cd0.22Te crystals, containing 3 x 1016 cm-3 of copper impurities and 1.83 x 1016 cm-3 of mercury vacancies (together or separately). The ε1-conductivity due to free holes above 10-12 K and the hopping conductivity below 8-10 K are dominant in such crystals respectively. It was found that the ε1-conductivity in copper-doped crystals is independent of the vacancy presence, while the hopping conductivity essentially increases due to the vacancy availability. This phenomenon is explained in terms hole joining neutral mercury vacancies.The binding energy is calculated; it equal 3.7 meV in background state

Abstract (Russian)

Исследованы проводимость и эффект Холла при Т = 4.2-125 К в кристаллах p-Hg0.78Cd0.22Te, содержащих 3 х 1016 см-3 примеси меди и 1.83 х 1016 см-3 вакансий Hg (одновременно или же раздельно друг от друга). В таких кристаллах выше 10-12 К доминирует ε1-проводимость по валентной зоне, а ниже 8-10 К - прыжковая проводимость. Обнаружено, что ε1-проводимость легированных медью кристаллов не зависит от присутствия вакансий, тогда как прыжковая проводимость существенно увеличивается при введении их в легированный кристалл. Это явление объяснено присоединением дырок нейтральными вакансиями ртути. Выполнен расчет энергии присоединения и найдено, что в основном состоянии она равна 3.7 мэВ

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Особенности прыжковой проводимости кристаллов п-Хг

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
36
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 29-36
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
34046503
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
BINDING ENERGY; CADMIUM TELLURIDES; COPPER ADDITIONS; CRYSTAL DOPING; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY-LEVEL DENSITY; HALL EFFECT; MERCURY TELLURIDES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; VACANCIES
Descriptors DEC
ALLOYS; CADMIUM COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; COPPER ALLOYS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRICAL PROPERTIES; ENERGY; MERCURY COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; POINT DEFECTS; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE; TRANSITION ELEMENT ALLOYS

Optional Information

Notes
17 refs., 5 figs., 1 tab.