Published November 2004
| Version v1
Journal article
Recombination mechanism of spin-galvanic effect
Creators
- 1. RAN, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
The mechanism of the spin-galvanic effect whereby the current generation occurs due to the difference in the velocity of spontaneous radiative transitions of the charge carriers with the oppositely directed spins. The above asymmetry originates under the conditions of the spatially homogeneous nonequilibrium spin orientation of the thermalized electrons (holes), which may by accomplished by any of the known ways. It is shown that the given mechanism may be applied both for the generation and detection of the spin-polarized charge carriers
Abstract (Russian)
Рассматривается механизм спин-гальванического эффекта, при котором генерация тока происходит за счет разницы скорости спонтанных излучательных переходов носителей заряда с противоположно направленными спинами. Указанная асимметрия возникает в условиях пространственно однородной неравновесной спиновой ориентации термализованных электронов (дырок), которая может осуществляться любым из известных способов. Показано, что данный механизм может быть использован как для генерации, так и для детектирования спин-поляризованных носителей зарядаAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Рекомбинационный механизм спин-гальванического эффекта
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika Tverdogo Tela
- Journal Volume
- 46
- Journal Issue
- 11
- Journal Page Range
- p. 1942-1945
- ISSN
- 0367-3294
- CODEN
- FTVTAC
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37019971
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ASYMMETRY; BAND THEORY; DIAGRAMS; ELECTRONIC STRUCTURE; ELECTRONS; GALVANOMAGNETIC EFFECT; HOLES; RECOMBINATION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SPIN ORIENTATION
- Descriptors DEC
- ELEMENTARY PARTICLES; FERMIONS; INFORMATION; LEPTONS; MATERIALS; ORIENTATION
Optional Information
- Notes
- 13 refs., 1 fig.