Photoreflection investigations of the dopant activation in InP doped with beryllium ions
- 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)
Description
The processes of the dopant activation in the InP crystals implanted with Be+ ions (energy 100 keV, dose 1013 cm-2 and subsequent thermal annealing during 10 s) have been studied by means of photoreflection spectroscopy. Spectral lines of the crystal InP were absent in the photoreflection spectra of the samples annealed at temperatures less then 400 Deg C. This fact is connected with the disordering of the crystal structure due to the ion implantation. In the temperature range 400-700 Deg C the lines from InP band gap (1.34 eV) and conductance band-spin-orbit splitting valence subband (1.44 eV) have been observed due to the recovery of the crystal structure. In the photoreflectance spectra of a 800 Deg C annealed sample the Franz-Keldysh oscillations have been observed, which can be an evidence in favour of the dopant activation. Carrier concentration calculated from the period of Franz-Keldysh oscillations was equal to 2.2 x 1016 cm-3
Abstract (Russian)
Методом спектроскопеии фотоотражения исследован процесс активации примеси в кристаллах InP, имплантированных ионами Be+ с энергией 100 кэВ и дозой 1013 cm-2 и подвергнутых термическому отжигу в течение 10 с. При температурах ожига до 400 град C в спектрах отсутствуют линии, характерные для кристаллического InP, что свидетельствует о разупорядочении кристаллической решетки вследствие ионной имплантации. При температурах ожига 400-700 град C в спектрах наблюдаются линии, связанные с фундаментальным переходом InP (1.34 эВ) и переходом между зоной проводимости и спин-орбитально отщепленной подзонной валентной зоны (1.44 эВ), что указывает на восстановление кристаллической структуры. Для образцов, отожженных при температуре 800 град C, в спектре фотоотражения наблюдаются осцилляции Франца-Келдыша, что свидетельствует об активации примеси. По периоду осцилляций определена концентрация свободных носителей, которая составила 2.2 x 1016 см-3Additional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 39
- Journal Issue
- 2
- Journal Page Range
- p. 189-191
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 38001922
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANNEALING; BAND THEORY; BERYLLIUM ADDITIONS; BERYLLIUM IONS; CRYSTAL LATTICES; DIAGRAMS; INDIUM PHOSPHIDES; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 10-100; ORDER-DISORDER TRANSFORMATIONS; RADIATION DOSES; REFLECTION; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
- Descriptors DEC
- ALLOYS; BERYLLIUM ALLOYS; CHARGED PARTICLES; CRYSTAL STRUCTURE; DOSES; ENERGY RANGE; HEAT TREATMENTS; INDIUM COMPOUNDS; INFORMATION; IONS; KEV RANGE; PHASE TRANSFORMATIONS; PHOSPHIDES; PHOSPHORUS COMPOUNDS; PNICTIDES; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 7 refs., 4 figs.