Published September 2001
| Version v1
Journal article
Cu diffusion across a clean Si(111) surface
- 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk (Russian Federation)
Description
Cu diffusion across a clean Si(111) surface has been studied by the Auger electron spectroscopy and the low energy electron diffraction. It has been established that enhanced copper density areas with noticeable boundaries manifest themselves and a Si(111) - 5 x 5 - Cu surface phase is formed as a result of diffusion. It has been shown that the copper transport along Si(111) surface goes on according to a solid state spreading process, which is known as the unwinding carpet mechanism. The temperature dependence for the Cu diffusion coefficients DCu on the Si(111) surface is obtained and this dependence takes the form: DCu = 104 exp(-1.9/kT) cm2/s
Abstract (Russian)
Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследована диффузия Cu по атомарно-чистой поверхности Si(111). Установлено, что в результате диффузии на поверхности кремния образуются концентрационные распределения меди с резкой границей и формируется поверхностная фаза Si(111) - 5 x 5 - Cu. Показано, что процесс переноса меди по поверхности Si(111) происходит путем твердофазного растекания, известного как механизм развертывающегося ковра. Получена зависимость коэффициента поверхностной диффузии Cu на поверхности Si(111) от температуры, которая имеет вид DCu=104 exp(-1.9/kT) см2/сAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Диффузия Cу по чистой поверхности Си(111)
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 9
- Journal Page Range
- p. 1063-1066
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34010365
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANNEALING; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; COPPER SILICIDES; DIFFUSION COATING; DIFFUSION LENGTH; MASS TRANSFER; SILICON; SPATIAL DISTRIBUTION; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
- Descriptors DEC
- COPPER COMPOUNDS; DEPOSITION; DIMENSIONS; DISTRIBUTION; ELECTRON SPECTROSCOPY; ELEMENTS; HEAT TREATMENTS; LENGTH; SEMIMETALS; SILICIDES; SILICON COMPOUNDS; SPECTROSCOPY; SURFACE COATING; TEMPERATURE RANGE; TRANSITION ELEMENT COMPOUNDS
Optional Information
- Notes
- 22 refs., 3 figs.