Non-additivity of defect generation processes under consecutive proton and neutron irradiation of GaAs
Creators
- 1. Gosudarstvennyj Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
Description
The experimental data on defect formation in GaAs under successive proton and neutron irradiation are presented. Structural photosensitivity is compared for as-fabricated material and that irradiated with protons and neutrons. Proton irradiation is revealed to result in a decrease of structural photosensitivity by 2-10 times. An essential (more than by a factor of 4) decrease of photosensitivity in neutron-irradiated structures unaffected by preliminary proton radiation is observed at neutron fluences about 10 13 cm-2, and in those preliminarily proton irradiated a like decrease takes place at fluences of 1014cm-2 which are substantially less than expected ones. It is shown that the processes of defect generation cannot be described by a simple summation of radiation doses
Abstract (Russian)
Приведены экспериментальные данные процессов дефектообразования при последовательном протонном и нейтронном облучении GaAs. Сравнивалась фоточувствительность структур после изготовления и облучения протонами и нейтронами. Обнаружено, что протонное облучение приводит к снижению фоточувствительности структур в 2-10 раз. Существенное (более чем в 4 раза) уменьшение фоточувствительности при нейтронном облучении структур, предварительно не облученных протонами, наблюдалось при флюенсах нейтронов около 1013 см-2, а предварительно облученных - при флюенсах, существенно меньше ожидаемых, - 1014 см-2. Показано, что процессы дефектообразования не описываются простым суммированием доз облученияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Неаддитивност' процессов дефектообразования при последовательном протонном и нейтронном облучении GaAs
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov
- Journal Issue
- no.2
- Journal Page Range
- p. 5-6
- ISSN
- 0015-3214
- CODEN
- FKOMAT
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33022185
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- CRYSTAL DEFECTS; GALLIUM ARSENIDES; KEV RANGE 10-100; MEV RANGE 01-10; NEUTRON FLUENCE; PHOTOSENSITIVITY; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; PROTONS; SEMICONDUCTOR MATERIALS
- Descriptors DEC
- ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BARYONS; CRYSTAL STRUCTURE; ELEMENTARY PARTICLES; ENERGY RANGE; FERMIONS; GALLIUM COMPOUNDS; HADRONS; KEV RANGE; MATERIALS; MEV RANGE; NUCLEONS; PNICTIDES; RADIATION EFFECTS; SENSITIVITY
Optional Information
- Notes
- 3 refs.