Degradation of light-emitting diodes on the base of InGaN/GaN heterostructures at gamma-quantum irradiation
Creators
Description
The degradation of light-emitting diodes on the base of InGaN/GaN heterostructures (460 and 530 nm) at gamma-irradiation (60Co) in active and passive powering mode. It is established that at irradiation light flux of diodes decreases in proportion to irradiation dose and in inverse proportion to operating current value. It is shown that degradation of light flux is determined by introduction of two centers of radiationless recombination of radiation origin.The first center, presumably, is related with radiation rearrangement of existing defect structure on the base of impurity (may be [Mg-H]) and the second one has pure radiation origin. The passage of operating current during irradiation results in partial annealing of the first center of radiationless recombination and increasing introduction rapidity of the second center
Abstract (Russian)
Исследована деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN (460 и 530 нм) при гамма-облучении (60Со) в активном и пассивном режимах питания. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух центров безызлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры на основе примеси (возможно, это комплекс [Mg-H]), а второй - имеет чисто радиационное происхождение. Пропускание рабочего тока в процессе облучения приводит к частичному отжигу первого центра безызлучательной рекомбинации и повышению скорости введения второго центраAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
Publishing Information
- Publisher
- Isd-vo TPU
- Imprint Place
- Tomsk (Russian Federation)
- Imprint Title
- VII International scientific conference Radiation-thermal effects and processes in inorganic materials. Proceedings
- Imprint Pagination
- 768 p.
- Journal Page Range
- p. 409-413
- Report number
- INIS-RU--534
Conference
- Title
- 7. international scientific conference radiation-thermal effects and processes in inorganic materials
- Original Conference Title
- VII Mezhdunarodnaya nauchnaya konferentsiya Radiatsionno-termicheskie ehffekty i protsessy v neorganicheskikh materialakh
- Dates
- 2-10 Oct 2010
- Place
- Tomsk (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 44066143
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- CRYSTAL DEFECTS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC CURRENTS; GALLIUM NITRIDES; GAMMA RADIATION; INDIUM NITRIDES; LIGHT EMITTING DIODES; OPTICAL PROPERTIES; RADIATION DOSES; RADIATION EFFECTS; RECOMBINATION
- Descriptors DEC
- CRYSTAL STRUCTURE; CURRENTS; DOSES; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC RADIATION; GALLIUM COMPOUNDS; INDIUM COMPOUNDS; IONIZING RADIATIONS; NITRIDES; NITROGEN COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; RADIATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES
Optional Information
- Notes
- 7 refs., 5 figs. Imprint:Trudy VII Mezhdunarodnoj nauchnoj konferentsii Radiatsionno-termicheskie ehffekty i protsessy v neorganicheskikh materialakh