Published May 2008 | Version v1
Journal article

Preparation of manostructured Ta-B-N films

  • 1. Donbasskaya Gosudarstvennaya Mashinostroitel'naya Akademiya, Kramatorsk (Ukraine)
  • 2. Donetskij Natsional'nyj Univ., Donetsk (Ukraine)

Description

The nitrogen/argon ratio in the gas mixture is studied for its effect on the growth of films via reactive rf magnetron sputtering of a TaB2 target in Ar + N2 and on the electrical and mechanical properties of the nanostructured films produced at different nitrogen contents in the Ta-B-N system. The results demonstrate that even small nitrogen additions prevent preferential orientation and columnar growth. No ternary compounds are formed during reactive rf magnetron sputtering of a TaB2 target in Ar + N2

Abstract (Russian)

Исследовано влияние соотношения азота и аргона на процесс формирования пленок, полученных реактивным ВЧ-магнетронным распылением мишени ТаВ2 в среде Ar + N2. Изучены электрические и физико-механические свойства наноструктурных пленок, полученных при различном содержании азота в системе Та-B-N. Показано, что незначительное добавление азота в состав рабочего газа приводит к полному исчезновению текстуры и столбчатой структуры. При реактивном ВЧ-магнетронном распылении мишени ТаВ2 в среде Ar + N2 отсутствуют тройные соединения

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Получение наноструктурных пленок в системе Та-Б-Н

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
44
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 575-579
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

Optional Information

Notes
22 refs., 3 figs., 2 tabs.