Published March 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Nonuniform impurity and electric-field distributions in high-resistivity Si, Bi12GeO20 and CdS crystals

Creators

  • 1. Inst. Obshchej i Neorganicheskoj Khimii im. N.S. Kurnakova Rossijskoj Akademii Nauk, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Moskovskij Inzhenerno-Fizicheskij Inst., Moscow (Russian Federation)

Description

One investigated into space distribution of impurity and of electric field in spacing between contacts sputtered on specimen surface by means of local photoconductivity (PC). Si, Bi12GeO20 and CdS high-resistivity crystals were selected to be investigated. It is shown that nonuniform distribution of field may be brought about by exclusion in high-resistivity materials. Field and impurity in CdS specimens distribute nonuniformly along the length, and it manifests itself in coordinate dependence of a local PC signal on the basis of which one may estimate the extent of the mentioned nonuniformities

Abstract (Russian)

Исследовано пространственное распределение примеси и электрического поля в промежутке между контактами, напыленными на поверхность образца, методом локальной фотопроводимости (ФП). В качестве объектов исследования были выбраны высокоомные кристаллы Si, Bi12GeO20 и CdS. Показано, что неоднородное распределение поля может возникать при явлении эксклюзии в высокоомных материалах. Поле и примесь по длине образцов CdS распределены неоднородно, что заметно проявляется в координатной зависимости сигнала локальной ФП, по которой можно оценить масштаб этих неоднородностей

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Пространственные неоднородности распределения примесей и электрического поля в высокоомных кристаллах Си, Би

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
39
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 263-275
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37020139
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ANALYTICAL SOLUTION; CADMIUM SULFIDES; CRYSTALS; ELECTRIC FIELDS; IMPURITIES; PHOTOCONDUCTIVITY; SPRAYED COATINGS
Descriptors DEC
CADMIUM COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; COATINGS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; INORGANIC PHOSPHORS; MATHEMATICAL SOLUTIONS; PHOSPHORS; PHYSICAL PROPERTIES; SULFIDES; SULFUR COMPOUNDS

Optional Information

Notes
16 refs., 9 figs.