Published January 2004 | Version v1
Journal article

Catch and recombination of carriers in semiconductor quantum points CdSe/ZnSe

  • 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

The extended in time photoluminescence spectra of the CdSe/ZnSe self-organized quantum dots are measured. The samples excitation was accomplished on the account of the femtosecond and nanosecond high-power laser pulses absorption in the barrier layers. The peculiarities of the quantum dots and barrier luminescence kinetics are explained through the effective diffusion and catch of the carriers from the barrier into the quantum dots, fast relaxation by the dimensional quantization energy by the sublevels, through the time dependence of the carriers catch and recombination on the quantum dot dimension. The registered change in the form of the luminescence spectra of the quantum dots samples (the increase in the luminescence intensity of the high-frequency spectra part) and the nonlinear dependence of the luminescence by the high excitation levels are explained through the states saturation and/or through the decrease in the carriers catch into the quantum dot in the course of its filling by the carriers

Abstract (Russian)

Измерены развернутые во времени спектры фотолюминесценции самоорганизованных квантовых точек CdSe/ZnSe. Возбуждение образцов осуществлялось за счет поглощения фемтосекундных и мощных наносекундных импульсов лазеров в барьерных слоях. Особенности кинетики люминесценции квантовых точек и барьера объяснены эффективной диффузией и захватом носителей из барьера в квантовые точки, быстрой релаксацией по подуровням энергии размерного квантования, зависимостью времени захвата носителей и рекомбинации от размера квантовой точки. Зарегистрированное изменение формы спектров люминесценции образцов квантовых точек (возрастание интенсивности люминесценции высокочастотной части спектров) и нелинейная зависимость интенсивности люминесценции при высоких уровнях возбуждения объяснены насыщением состояний и/или уменьшением скорости захвата носителей в квантовую точку по мере ее заполнения носителями

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CdSe/ZnSe

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
125
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 173-180
ISSN
0044-4510
CODEN
ZETFA7

Optional Information

Notes
31 refs., 4 figs., 1 tab.