Published January 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

70 GeV/c proton beam extraction by means of a silicon crystal into a facility RAMPEhKS

Creators

  • 1. GNTs RF Inst. Fiziki Vysokikh Ehnergij, Protvino (Russian Federation)

Description

Paper presents the experimental data on investigation into shaping of 70 GeV/c stable proton beam extracted from the U-70 accelerator (Protvino) using silicon bent single crystal. The beam intensity should constitute 5 x 106 of protons per a cycle, the angular divergence is under 2.5 mrad, while dimensions in the target should not exceed 10 and 14 mm along the vertical and horizontal lines, respectively. The obtained results demonstrate that the beam is stable while its dimensions exceed a bit the ones required by the experiment. One is going to continue investigations to optimize the parameters of silicon monocrystal

Abstract (Russian)

Приведены экспериментальные данные по исследованию формирования стабильного протонного пучка с импульсом 70 ГэВ/с, выведенного из ускорителя У-70 (Протвино) с помощью изогнутого монокристалла кремния. Интенсивность пучка должна быть 5 х 106 протонов за цикл, угловая расходимость меньше 2,5 мрад, а размеры мишени не должны превышать 10 и 14 мм по горизонтали и вертикали соответственно. Полученные результаты показывают, что пучок стабилен, но его размеры несколько превышают требуемые экспериментом. Исследования будут продолжены в направлении оптимизации параметров монокристалла кремния

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Вывод протонного пучка с импульсом 70 GehV/с на установку RAMPEhKS с помощью кристалла кремния

Publishing Information

Journal Title
Pribory i Tekhnika Ehksperimenta
Journal Issue
no.1
Journal Page Range
p. 14-24
ISSN
0032-8162
CODEN
PRTEAJ

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33016043
Subject category
S43: PARTICLE ACCELERATORS;
Descriptors DEI
BEAM EXTRACTION; BEAM PROFILES; BEAM SHAPING; BENDING; CRYSTALS; FOCUSING; GEV RANGE 10-100; OPTIMIZATION; ORBITS; ORIENTATION; PERFORMANCE; PROTON BEAMS; SILICON; STABILITY; TIME DEPENDENCE
Descriptors DEC
BEAMS; DEFORMATION; ELEMENTS; ENERGY RANGE; GEV RANGE; NUCLEON BEAMS; PARTICLE BEAMS; SEMIMETALS

Optional Information

Notes
8 refs., 16 figs.