Published December 2004 | Version v1
Journal article

Stopping power curve for low-energy channeled antiprotons in silicon crystal

  • 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Nauchno-Issledovatel'skij Inst. Yadernoj Fiziki im. D.V. Skobel'tsyna, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Afinskij Univ., Fizicheskij Fakul'tet, Afiny (Greece)

Description

Stopping power curve for low-energy antiprotons during channeling on both sides around its maximum (50-300 keV) is obtained for the first time theoretically. Comparison is made with the experimental data for antiprotons in a disordered target

Abstract (Russian)

Впервые получена теоретически кривая тормозной способности ориентированного кристалла для каналированных антипротонов по обе стороны от ее максимума (50-300 кэВ). Полученные результаты сравниваются с экспериментальными данными для антипротонов в неупорядоченной мишени

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Кривая тормозной способности кремния для каналированных антипротонов низких энергий

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.12
Journal Page Range
p. 99-101
ISSN
1028-0960

INIS

Optional Information

Notes
8 refs., 3 figs.