Published April 2000 | Version v1
Journal article Metadata-only

Interference effects of X-ray topography in an epitaxial silicon/porous silicon/silicon system

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk (Russian Federation)

Description

A semiconductor system of epitaxial silicon/porous silicon/(001) silicon was investigated using transmission electron microscopy, X-ray topography and diffraction. Diffraction rocking curves demonstrate a peak of porous silicon which is considerably shifted from a total peak of a substrate and an epitaxial film in the direction of larger Bragg angles. In X-ray topographs interference moire pictures are observed. Such pictures are usual for X-ray interferometer and indicate a high epitaxial film quality. The growth of perfect films is resulted from the small crystal lattice parameter difference (∼ 0.025%) of the porous layer and the substrate in the direction parallel to the growing surface

Abstract (Russian)

Полупроводниковая гетеросистема эпитаксиальный Si/пористый Si/подложка (001) Si исследовалась методами электронной микроскопии, рентгеновской топографии и дифрактомерии. Электронно-микроскопические снимки поперечных срезов показали отсутствие дефектов дислокационного типа в объеме эпитаксиальной пленки и на границе раздела с пористым слоем. На ретгеновских дифрактограммах зарегистрирован суммарный пик подложки и эпитаксиальной пленки, а также пик пористого слоя, смещенный в сторону больших значений брэгговского угла. Появление на топограммах интерференционных картин свидетельствует о близких значениях постоянных решеток подложки и эпитаксиального Si и о сравнимом качестве их структур

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Интерференционные эффекты при рентгеновской топографии в системе эпитаксиальный кремний/пористый кремний/кремний

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.4
Journal Page Range
p. 19-26
ISSN
1028-0960

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33024555
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; IMAGES; INTERFERENCE; LATTICE PARAMETERS; POROUS MATERIALS; REFLECTION; SILICON; TOPOGRAPHY; X RADIATION; X-RAY DIFFRACTION
Descriptors DEC
COHERENT SCATTERING; CRYSTAL GROWTH METHODS; DIFFRACTION; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELEMENTS; IONIZING RADIATIONS; MATERIALS; MICROSCOPY; RADIATIONS; SCATTERING; SEMIMETALS

Optional Information

Notes
13 refs.; 4 figs.