Published December 1999
| Version v1
Journal article
Diffusion instability of dopants near p-n junctions in superionic conductors
Description
Combined diffusion of fast and slow ions, electrons and holes near electron conductivity conversion (p-n junction) was investigated in semiconductors - superionic conductors of the Bi2Te3 and Cu2-x Se type. It is determined that near p-n junction the diffusion factor of ions may increase by several orders of magnitude due to ion acceleration by electrons that may determine, in particular, the diffusion instability of dopants in specimens
Abstract (Russian)
В полупроводниках - суперионных проводниках типа Bi2Te3 и Cu2-x Se исследована совместная диффузия быстрых и медленных ионов, электронов и дырок при конверсии электронной проводимости (p-n-переходе). Найдено, что вблизи точки конверсии коэффициент диффузии ионов может возрасти на несколько порядков за счет эффекта ускорения ионов электронами, что может определить, в частности, диффузионную неустойчивость легирующих добавок в образцахAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Диффузионная неустойчивост' легирующих добавок при конверсии типа электронной проводимости в суперионных проводниках
Publishing Information
- Journal Title
- Neorganicheskie Materialy
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 12
- Journal Page Range
- p. 1444-1448
- ISSN
- 0002-337X
- CODEN
- NEOMB8
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 31020364
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- BISMUTH TELLURIDES; CONCENTRATION RATIO; COPPER ADDITIONS; DIFFUSION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ENERGY GAP; SEMICONDUCTOR MATERIALS; THERMOELECTRIC PROPERTIES
- Descriptors DEC
- BISMUTH COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; ELECTRICAL PROPERTIES; MATERIALS; PHYSICAL PROPERTIES; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS
Optional Information
- Notes
- 18 refs., 5 figs.