Published July 2006 | Version v1
Journal article

MD simulation of sputtering with highly charged ions

  • 1. Argonne National Lab., Argonne (Ukraine)
  • 2. LASTI, Univ. of Hyogo, Hyogo (Japan)
  • 3. BRCIA, Dongshin Univ., Jeonnam (Korea, Republic of)

Description

Sputtering processes in the bombardment of highly charged ions (HCI) are studied using molecular dynamics simulation. The target atoms ionized embedded in a hemisphere on a target surface are considered as an initial condition, resulting in Coulomb explosion. The dynamics of particle ejection (sputtering) from the surface and crater formation on the surface are simulated. The formation and propagation of shock wave and rapid increase of the sputtering yield are seen during relaxation process. Strong dependence of the sputtering yield on the HCI potential energy is found and discussed in comparison with experimental data

Abstract (Russian)

Методом молекулярной динамики исследован процесс распыления при бомбардировке многозарядными ионами (МЗИ). Ионизованные атомы мишени, расположенные на поверхности мишени, рассматриваются как источник, приводящий в дальнейшем к кулоновскому взрыву. Рассчитывается динамика выхода частиц (распыления) из поверхности и образование кратеров. Образование и распространение ударной волны и быстрое возрастание распыления наблюдается в течение релаксации. Найдена и обсуждается сильная зависимость выхода распыления от потенциальной энергии МЗИ. Проведено сравнение с экспериментальными данными

Additional details

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.7
Journal Page Range
p. 88-90
ISSN
1028-0960

Conference

Title
17. International conference On ion-surface interactions (ISI-2005)
Original Conference Title
XVII Mezhdunarodnaya konferentsiya Vzaimodejstvie ionov s poverkhnost'yu (VIP-2005)
Dates
25-29 Aug 2005
Place
Moscow (Russian Federation)

Optional Information

Notes
12 refs., 3 figs.