Published May 2001
| Version v1
Journal article
Optical properties of InP surface with regular morphology formed by ion beam etching
Creators
- 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Ehlektrotekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
The work presents preliminary investigation of structure and optical properties of InP surface with a regular morphology of grass formed under etching by argon monochromatic neutralized ion beam. It is shown that etching of samples with free surface leads to forming of the isotropic morphology. In the time morphology formed by ion beam etching via linear mask is texture type. It is detected that angle distributions of the photoluminescence intensity of initial and treated samples have different character in the range of sliding angles
Abstract (Russian)
Проведены предварительные исследования структурных и оптических свойств поверхностных структур InP с регулярной морфологией типа грасс, сформированной при травлении нейтрализованным ионным пучком аргона. Показано, что травление свободной поверхности приводит к образованию морфологии с изотропным расположением особенностей. При травлении через полосчатую маску наблюдается образование текстурированной морфологии. Обнаружено, что угловые распределения интенсивности фотолюминесценции исходных и обработанных образцов имеют различный характер в области скользящих угловAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Оптические свойства InP с квазирегулярной морфологией поверхности, сформированной ионным распылением
Publishing Information
- Journal Title
- Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
- Journal Issue
- no.5
- Journal Page Range
- p. 99-103
- ISSN
- 1028-0960
Conference
- Title
- 30. Conference on physics of interaction of charges particles with crystal
- Original Conference Title
- 30. Konferentsiya po fizike vzaimodejstviya zaryazhennykh chastits s kristallami
- Dates
- 25-28 May 2000
- Place
- Moscow (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33043092
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ARGON IONS; ETCHING; INDIUM PHOSPHIDES; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; MORPHOLOGY; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SPECTRA; SURFACE PROPERTIES
- Descriptors DEC
- BEAMS; CHARGED PARTICLES; EMISSION; INDIUM COMPOUNDS; IONS; LUMINESCENCE; PHOSPHIDES; PHOSPHORUS COMPOUNDS; PHOTON EMISSION; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; RADIATION EFFECTS; SURFACE FINISHING
Optional Information
- Notes
- 14 refs.; 6 figs.