Vertical breakdown in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Published 2015 | Version v1

Miscellaneous Metadata-only

1. Institut für Festkörperelektronik, Technische Universität Wien, Floragasse 7, AT-1040 Wien (Austria)
2. F.-Braun-Inst., Leibniz-Inst. f. Höchstfrequenztechnik Gustav-Kirchhoff-Str. 4, DE-12489 Berlin (Germany)
3. EpiGaN, Kempischesteenweg 293, BE-3500 Hasselt (Belgium)

no abstract available

Additional details

Original title (English): Gemeinsame Jahrestagung der Österreichischen Physikalischen Gesellschaft und der Schweizerischen Physikalischen Gesellschaft zusammen mit den Österreichischen und der Schweizerischen Gesellschaften für Astronomie und Astrophysik

Publisher: Austrian Physical Society
Imprint Place: Vienna (Austria)
Imprint Title: Joint Annual Meeting of the Austrian Physical Society and the Swiss Physical Society together with the Austrian and Swiss Societies for Astronomy and Astrophysics
Imprint Pagination: 116 p.
Journal Page Range: p. 37

Title: Joint Annual Meeting of the Austrian Physical Society and the Swiss Physical Society together with the Austrian and Swiss Societies for Astronomy and Astrophysics
Original Conference Title: Gemeinsame Jahrestagung der Österreichischen Physikalischen Gesellschaft und der Schweizerischen Physikalischen Gesellschaft zusammen mit den Österreichischen und der Schweizerischen Gesellschaften für Astronomie und Astrophysik
Dates: 1-4 Sep 2015
Place: Vienna (Austria)

Country of Publication: Austria
Country of Input or Organization: Austria
INIS RN: 47066848
Subject category: S36: MATERIALS SCIENCE; S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator: No Abstract, Conference, Non-conventional Literature
Descriptors DEI: ACTIVATION ENERGY; ALUMINIUM COMPOUNDS; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDES; LEAKAGE CURRENT; SILICON; SUBSTRATES; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; TIME DEPENDENCE; TRANSISTORS
Descriptors DEC: CURRENTS; ELECTRIC CURRENTS; ELEMENTS; ENERGY; GALLIUM COMPOUNDS; MOBILITY; NITRIDES; NITROGEN COMPOUNDS; PARTICLE MOBILITY; PNICTIDES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE

Notes: Imprint:Gemeinsame Jahrestagung der #Latin Capital Letter O With Diaeresis#sterreichischen Physikalischen Gesellschaft und der Schweizerischen Physikalischen Gesellschaft zusammen mit den #Latin Capital Letter O With Diaeresis#sterreichischen und der Schweizerischen Gesellschaften f#Latin Small Letter U With Diaeresis#r Astronomie und Astrophysik