Published June 2006 | Version v1
Journal article

Diffusion of terbium in silicon

  • 1. Natsional'nyj Univ. Uzbekistana im. M. Ulugbeka, Tashkent (Uzbekistan)

Description

The diffusion of terbium in silicon is studied by tracer technique in the temperature range 1100-1250 deg C. The diffusion coefficient of terbium, DTb, is shown to increase with temperature from 4 x 10-14 to 10-12 cm2/s. The temperature dependence of DTb at temperatures studied obeys the Arrhenius law according to: DTb [cm2/s] = 5 x 10-2 exp(-3.3 eV/kT). Experimental data on DTb and activation energy (Ea = 3.3 eV) suggest that terbium dopant diffuses in silicon along the crystal lattice nodes

Abstract (Russian)

Методом радиоактивных индикаторов исследована диффузия тербия в кремнии в интервале температур 1100-1250 град С. Установлено, что коэффициент диффузии тербия (DTb) увеличивается с ростом температуры от 4 х 10-14 до 10-12 см2/с. Температурная зависимость DTb носит аррениусовский характер и описывается уравнением: DTb [см2/с] = 5 x 10-2 exp(-3.3 эВ/kT). На основе полученных значений DTb и энергии активации (Ea = 3.3 эВ) сделано заключение, что примесь тербия диффундирует в кремнии по узлам кристаллической решетки

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Диффузия тербия в кремнии

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
40
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 650-651
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
12 refs., 1 fig.