The impurity band in Hg3In2Te6 crystals doped with silicon
Description
On the basis of optical and electrical measuring data the influence of Si impurity on the band spectrum of Hg3In2Te6 semiconductor compound, the crystalline structure of which contains a high density of stoichiometric vacancies, has been investigated. It is shown that silicon forms an impurity zone of donor centers and their density can be approximated by the Gauss distribution with the maximum of Ec - 0.29 eV. The occurrence of the impurity zone is accompanied by formation of quasi-continuous spectrum of localized states within the energy gap (Eg = 0.74 eV), their density rising with the doping level. Confluence of all states in continuous band under impurity concentration of NSi > 4.5 x 1017 cm-3 takes place. Experimental results are explained in terms of the impurity self-compensation effect. In this case, donor impurity states and acceptor states of defects arise simultaneously
Abstract (Russian)
На основе данных оптических и электрических измерений исследовано влияние примеси кремния на зонный спектр полупроводникового соединения Hg3In2Te6, имеющего в своей структуре большую концентрацию стехиометрических вакансий. Показано, что кремний образует примесную зону донорных центров, плотность которых аппроксимируется гауссовым распределением с максимумом при Еc - 0.29 эВ. Возникновение примесной зоны сопровождается образованием в запрещенной зоне (Eg = 0.74 эВ) квазинепрерывного спектра локализованных состояний, плотность которых растет с уровнем легирования. Слияние всех состояний в сплошную полосу происходит при концентрации примеси NSi > 4.5 x 1017 см-3. Экспериментальные результаты объясняются эффектом самокомпенсации примеси, при котором донорные примесные состояния возникают одновременно с акцепторными состояниями дефектовAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Примесная зона в кристаллах Хг
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 37
- Journal Issue
- 2
- Journal Page Range
- p. 176-179
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35081258
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE; S74: ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS;
- Descriptors DEI
- ABSORPTION SPECTRA; BAND THEORY; CARRIER DENSITY; CHARGE CARRIERS; DOPED MATERIALS; ENERGY GAP; ENERGY-LEVEL DENSITY; FERMI LEVEL; INDIUM TELLURIDES; MERCURY TELLURIDES; MONOCRYSTALS; SILICON ADDITIONS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K
- Descriptors DEC
- ALLOYS; CHALCOGENIDES; CRYSTALS; ENERGY LEVELS; INDIUM COMPOUNDS; MATERIALS; MERCURY COMPOUNDS; SILICON ALLOYS; SPECTRA; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 8 refs., 4 figs., 1 tab.