Published January 2005 | Version v1
Journal article Metadata-only

InGaAs/GaAs heterostructures with quantum dots for the 3-5 μm infrared photodetectors

Creators

  • 1. RAN, Inst. Fiziki Mikrostruktur, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Features of InAs quantum dots (QD) formation depending on growth time or equivalent InAs layer thickness are investigated. Selectively doped multilayer InGaAs/GaAs structures with QD were grown by the low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The long wavelength photoluminescence shift is observed when the In supply was varied during the QD formation. Photoluminescence and transmission electron microscopy measurements showed that change of QD size and shape with increasing aspect ratio. The spectral lines of normal-incidence intersubband photoconductivity in the mid-infrared range (from 2.5 to 5 μm) have been observed up to 110 K at lateral and vertical geometry of electron transport

Abstract (Russian)

Исследованы особенности формирования квантовых точек InAs методом металлорганической газофазной эпитаксии в зависимости от времени роста или эквивалентной толщины слоя InAs. Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции показано, что увеличение времени роста квантовых точек в матрице GaAs приводит к изменению не только их размеров и формы. Изготовлены многослойные селективно-легированные структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками, и проведено исследование инфракрасной фотопроводимости в продольной и вертикальной геометрии электронного транспорта. В режиме нормального падения излучения наблюдалась внутризонная фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне (2.5-5 мкм) до температуры 110 К

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
39
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 96-99
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Conference

Title
Nanophotonics-2004
Original Conference Title
Soveshchanie: Nanofotonika-2004
Acronym
Conference
Dates
2-6 May 2004
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37104074
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference
Descriptors DEI
EMISSION SPECTRA; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ARSENIDES; INFRARED RADIATION; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM DOTS; THICKNESS; TIME DEPENDENCE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPOR PHASE EPITAXY
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; CRYSTAL GROWTH METHODS; DIMENSIONS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELECTRON MICROSCOPY; EMISSION; EPITAXY; GALLIUM COMPOUNDS; INDIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; MICROSCOPY; NANOSTRUCTURES; PHOTON EMISSION; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; RADIATIONS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPECTRA

Optional Information

Notes
14 refs., 3 figs.