Ion beam mixing for silicide formation
Creators
- 1. Alexandria Univ. (Egypt). Dept. of Nuclear Engineering
Description
Refractory metal silcides are under intensive investigation to be used as contact and interconnect materials in VLSI circuits. Ion beam mixing has been proposed as a technique for simultaneous doping and metal silicide formation. This work presents a theoretical model for calculating the different parameters required for ion beam mixing through ion implantation. The minimum ion beam energy and dose for complete mixing is calculated. A plot of the obtained energy-dose relation shows that the dose increases linearly with energy. The dose-silicide thickness relation is also plotted. It is found that the thickness of the formed metal silicide increases linearly with the square root of the applied dose. A good agreement is found between the values and relations of the proposed model and experimental results. (orig.)
Abstract (German)
Feuerfeste Metallsilicide werden intensiv als Kontakt- und Verbindungsmaterialien im Zusammenhang mit hoechstintegrierten Schaltkreisen untersucht. Die Methode des Ionenstrahlmixing wurde als Technik des simultanen Dopens und der Metallsilicid-Bildung vorgeschlagen. In der vorgelegten Arbeit wird ein theoretisches Modell zur Berechnung der verschiedenen Parameter, die fuer eine Ionenstrahlmischung bei der Ionenimplantation erforderlich sind, vorgestellt. Es wird die minimale Ionenstrahlenergie und die Dosis fuer ein vollstaendiges Mixing berechnet. Eine Darstellung der erhaltenen Energie-Dosisbeziehung zeigt, dass die Dosis linear mit der Energie zunimmt. Eine Beziehung zwischen der Dosis und der Schichtdicke des gebildeten Silicids ist ebenfalls dargestellt. Es wurde gefunden, dass die Dicke des gebildeten Metallsilicids linear mit der Quadratwurzel aus der angewendeten Dosis ansteigt. Es konnte eine befriedigende Uebereinstimmung zwischen den Werten und den Beziehungen des vorgeschlagenen Modells und den experimentellen Ergebnissen gefunden werden. (orig.)Additional details
Publishing Information
- Journal Title
- Isotopenpraxis
- Journal Volume
- 26
- Journal Issue
- 6
- Series
- Isotopenpraxis.
- Journal Page Range
- 265-268
- ISSN
- 0021-1915
- CODEN
- IPRXA
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 22037728
- Subject category
- S07: ISOTOPES AND RADIATION SOURCES;
- Descriptors DEI
- ARSENIC ISOTOPES; CRYSTAL DOPING; FILMS; INTEGRATED CIRCUITS; INTERFACES; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; MIXING; MOLYBDENUM SILICIDES; PHOSPHORUS ISOTOPES; RADIATION DOSES; TUNGSTEN SILICIDES
- Descriptors DEC
- BEAMS; ELECTRONIC CIRCUITS; MOLYBDENUM COMPOUNDS; SILICIDES; SILICON COMPOUNDS; TRANSITION ELEMENT COMPOUNDS; TUNGSTEN COMPOUNDS