Published May 2001
| Version v1
Journal article
Concentration dependence of W-Ta single crystals substructure for different crystallographic orientation of growth
Creators
Description
The method of X-ray topography is applied to study the concentration dependence of substructure of W-Ta alloy single crystals with natural carbon impurities for three main orientations of crystal growth: [100], [110] and [111]. The dependence shown for <111> orientation differs essentially from that for two other orientations. This is conditioned by specific features of cellular morphology of {111} crystallization front. The structure formation features resulted from nonstationary nature of the process are revealed under conditions of tantalum monocrystal growth on a tungsten seed crystal and on growing W-Ta monocrystals of variable composition in [100] direction
Abstract (Russian)
Концентрационная зависимость субструктуры монокристаллов сплавов W-Ta с естественной примесью углерода исследована рентгенотопографическим методом для трех основных кристаллографических ориентаций направления роста: [100], [110] и [111]. Указанная зависимость для направления <111> существенно отличается от таковой для двух других ориентаций. Это обусловлено особенностями ячеистой морфологии фронта кристаллизации {111}. В условиях получения монокристаллов тантала на вольфрамовой затравке и выращивания монокристаллов W-Ta переменного состава в направлении [100] обнаружены особенности структурообразования, обусловленные нестационарностью процессаAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Концентрационная зависимост' субструктуры монокристаллов сплавов W-Та при различных кристаллографических ориентациях направления роста
Publishing Information
- Journal Title
- Metally (Moscow)
- Journal Issue
- no.3
- Journal Page Range
- p. 52-58
- ISSN
- 0869-5733
- CODEN
- MEALET
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33025919
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- CONCENTRATION RATIO; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLOGRAPHY; DIFFRACTION METHODS; MONOCRYSTALS; ORIENTATION; TANTALUM ADDITIONS; TANTALUM BASE ALLOYS; TUNGSTEN ADDITIONS; TUNGSTEN BASE ALLOYS; X-RAY DIFFRACTION
- Descriptors DEC
- ALLOYS; COHERENT SCATTERING; CRYSTALS; DIFFRACTION; SCATTERING; TANTALUM ALLOYS; TRANSITION ELEMENT ALLOYS; TUNGSTEN ALLOYS
Optional Information
- Notes
- 10 refs.; 1 tab.; 5 figs.