Published August 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

Experimental assessment of the nonuniform radiation-induced space-charge distribution in the surface region of silicon

Creators

  • 1. Urgenchskij Gosudarstvennyj Univ. im. al'-Khorezmi, Urgench (Uzbekistan)

Description

An effort was made to simulate experimentally the distribution nonuniformity of density of radiation defects and of associated positive charge along MOS (metal-oxide-semiconductor)-transistor SiO2/Si interface by means of radiation-field effect. The oriented radiation-field effect was shown to result in nonuniform distribution of charge at SiO2/Si interface that causes various changes of reverse volt-ampere characteristics and volt-farad characteristics (substrate-(B-S)source)- and (substrate-(B-D)source)-transitions in MOS-transistors

Abstract (Russian)

Проведена попытка экспериментального моделирования неоднородности распределения плотности радиационных дефектов и связанного с ним положительного заряда вдоль границы раздела SiO2/Si МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзистора с помощью радиационно-полевого воздействия. Показано, что ориентированное радиационно-полевое воздействие приводит к неравномерному распределению заряда на границе SiO2/Si, что вызывает различные изменения обратных вольт-амперных характеристик и вольт-фарадных характеристик (подложка-исток(B-S)) и (подложка-сток (B-D))-переходов в МОП-транзисторах

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Экспериментальное моделирование неоднородного распределения радиационно-индуцированного заряда у поверхности кремния

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
37
Journal Issue
8
Journal Page Range
p. 910-912
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33049500
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
CRYSTAL DEFECTS; DENSITY; ELECTRIC CHARGES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; GAMMA RADIATION; INTERFACES; MOS TRANSISTORS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SILICON; SILICON OXIDES; SIMULATION; SPATIAL DISTRIBUTION
Descriptors DEC
CHALCOGENIDES; CRYSTAL STRUCTURE; DISTRIBUTION; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELEMENTS; IONIZING RADIATIONS; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; RADIATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMIMETALS; SILICON COMPOUNDS; TRANSISTORS

Optional Information

Notes
4 refs., 2 figs.