Preparation of silicon carbide powders by vapor phase reaction
Creators
- 1. Technische Univ. Berlin (Germany, F.R.). Inst. fuer Nichtmetallische Werkstoffe
Description
Submicron silicon carbide powders (β-SiC) have been prepared by chemical vapor phase reaction from methylsilane (CH3SiH3). The methylsilane was synthesized by reduction of a technical methyltrichlorosilane with lithiumalanate. The equipment for the thermal decomposition of methylsilane consists of a gas-supply system and an induction-heated graphite reactor, which is connected with a deposition chamber and a filtering system. The temperature range investigated varied from 10000C to 18000C; Argon was used as a carrier gas. The yield increases with increasing temperature up to a value of 98%. The powders were characterized by X-ray measurements chemical analysis, determination of surface area and powder morphology, and show high purity (low oxygen content), small crystallite size and a large specific surface area. Sintering experiments with addition of 1 wt.-% boron and carbon were performed in a high-temperature dilatometer. At 20800C under argon a density of 96,5% th.d. was obtained. (orig.)
Abstract (German)
Kubische SiC-Pulver mit einer Teilchengroesse im Submicronbereich wurden durch chemische Gasphasenabscheidung aus Methylsilan, CH3SiH3, mit Argon als Traegergas in einem Stroemungsreaktor im Temperaturbereich von 10000C bis 18000C fuer Sinterzwecke hergestellt. Die Gewinnung des Ausgangsproduktes Methylsilan durch Reduktion des technischen Methyltrichlorsilans mit Lithiumalanat sowie die verwendete Apparatur werden beschrieben. Die Versuchsanlage zur Pulverherstellung besteht aus einem induktiv beheizten Graphitreaktor mit einer angeschlossenen Abscheidekammer mit Filter und einem Gasversorgungssystem. Die SiC-Ausbeute steigt mit der Temperatur und erreicht Werte von 98%. Die Pulver werden roentgenografisch, chemisch und physikalisch untersucht. Sie sind charakterisiert durch geringe Kristallitgroesse, grosse spezifische Oberflaeche, hohe Reinheit und geringen Sauerstoffgehalt. Anhand einer Pulvercharge wird die Sinterung mit je 1 Gew.-% Bor- und Kohlenstoffzusatz in einem Hochtemperatur-Dilatometer gezeigt. Bei einer Sintertemperatur von 20800C wurde unter Argon eine relative Dichte von 96,5% erreicht. (orig.)Additional details
Additional titles
- Original title (German)
- Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbidpulvern aus der Gasphase
Publishing Information
- Journal Title
- Ber. Dtsch. Keram. Ges.
- Journal Volume
- 55
- Journal Issue
- 4
- Series
- Ber. Dtsch. Keram. Ges.
- Journal Page Range
- 233-237
Conference
- Title
- Annual meeting of the Deutsche Keramische Gesellschaft e.V. and subsequent discussion meeting on synthetic ceramic raw materials.
- Dates
- 3 - 5 Oct 1977.
- Place
- Timmendorfer Strand, Germany, F.R.
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 9407619
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ARGON; CARBON; CHEMICAL REACTION YIELD; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DILATOMETRY; ELECTRON MICROSCOPY; GRAIN SIZE; IMPURITIES; LABORATORY EQUIPMENT; MICROSTRUCTURE; OXYGEN; POWDERS; PYROLYSIS; QUANTITATIVE CHEMICAL ANALYSIS; QUANTITY RATIO; SILANES; SILICON CARBIDES; SINTERING; SURFACE PROPERTIES; TEMPERATURE DEPENDENCE; VERY HIGH TEMPERATURE; X-RAY DIFFRACTION
- Descriptors DEC
- CARBIDES; CARBON COMPOUNDS; CHEMICAL ANALYSIS; CHEMICAL COATING; CHEMICAL REACTIONS; COHERENT SCATTERING; CRYSTAL STRUCTURE; DECOMPOSITION; DEPOSITION; DIFFRACTION; ELEMENTS; FABRICATION; HYDRIDES; HYDROGEN COMPOUNDS; MICROSCOPY; NONMETALS; RARE GASES; SCATTERING; SILICON COMPOUNDS; SIZE; SURFACE COATING; THERMAL ANALYSIS