Published 2014 | Version v1
Journal article Metadata-only

Investigation of electron-transfer processes speed and effect of external microwave field on the steady-state current in single- and double-quantum-well InGaAs/AlAs/InP resonant tunneling structures

Creators

  • 1. Fizicheskij Inst. im. P.N. Lebedeva RAN, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Natsional'nyj Issledovatel'skij Univ. MIEhT, Moscow (Russian Federation)
  • 3. OAO Nauchno-Proizvodstvennoe Predpriyatie Pul'sar, Moscow (Russian Federation)
  • 4. Inst. Sverkhvysokochastotnoj Poluprovodnikovoj Ehlektroniki RAN, Moscow (Russian Federation)

Description

Theoretical and experimental investigations of microwave field effect on steady-state current in single- and double-quantum-well InGaAs/AlAs/InP resonant tunneling diode (RTD) structures have been performed. Authors have developed a theoretical model that satisfactorily describes the modification of RTD volt-ampere characteristics under microwave radiation

Abstract (Russian)

Выполнены теоретические и экспериментальные исследования влияния внешнего СВЧ поля на стационарный ток в одноямных и двухъямных InGaAs/AlAs/InP резонансно-туннельных диодных (РТД) структурах. Построена теоретическая модель, удовлетворительно описывающая изменения вольт-амперных характеристик РТД структур под воздействием СВЧ излучения

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование быстродействия электронных процессов и влияния внешнего СВЧ-поля на стационарный ток в одноямных и двухъямных резонансно-туннельных структурах на основе InGaAs/AlAs/InP

Publishing Information

Journal Title
Vestnik Natsionalnogo Issledovatelskogo Yadernogo Universiteta «MEPhI»
Journal Volume
3
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 210-218
ISSN
2304-487X

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
47074242
Subject category
S97: MATHEMATICAL METHODS AND COMPUTING;
Resource subtype / Literary indicator
Numerical Data
Descriptors DEI
EXPERIMENTAL DATA; MATHEMATICAL MODELS; MATHEMATICS; NUMERICAL DATA; TUNNEL DIODES
Descriptors DEC
DATA; INFORMATION; NUMERICAL DATA; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES

Optional Information

Notes
9 refs., 11 figs., 1 tab.