Published May 2006 | Version v1
Journal article Metadata-only

Features of switching out process of power integral thyristor with external field control

Creators

  • 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe RAN, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
  • 2. Vserossijskij Ehlektrotekhnicheskij Inst. im. V.I. Lenina, Moscow (Russian Federation)

Description

The basic stages of switching a high-power integrated thyristor controlled by an external metal-oxide-semiconductor field-effect transistor are analyzed qualitatively and quantitatively. The stage of switching delay is analyzed in terms of an analytical model, its adequacy being verified by numerically calculation of the current decay transient upon switching off the n+pnn'p+-structure. The effect of hyperdelay is discovered, which arises as the turned-off anode current approaches a limiting value. The specific energy losses are calculated, and it is shown that most losses are due to the current slow decay stage

Abstract (Russian)

Представлены результаты качественного и количественного анализа основных этапов процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением. Развита аналитическая модель этапа задержки выключения, адеквантность которой проверена численным расчетом переходного процесса спада тока при выключении n+рnn'р+-структуры. Обнаружен эффект гиперзадержки, который возникает при приближении запираемого анодного тока к предельной величине. Выполнен расчет удельной энергии потерь и показано, что основная часть потерь при выключении приходится на этап медленного спада тока

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Особенности процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
76
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 76-81
ISSN
0044-4642
CODEN
ZTEFA3

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
39003711
Subject category
S46: INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY;
Descriptors DEI
COMPUTERIZED SIMULATION; DIAGRAMS; ELECTRICAL TRANSIENTS; ENERGY LOSSES; MATHEMATICAL MODELS; MOS TRANSISTORS; THYRISTORS; TIMING PROPERTIES
Descriptors DEC
INFORMATION; LOSSES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIMULATION; TRANSIENTS; TRANSISTORS; VOLTAGE DROP

Optional Information

Notes
8 refs., 7 figs.