Published February 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

Tunneling via impurity states bound with X-valley in thin AlAs barrier

Creators

  • 1. Inst. Problem Tekhnologii Mikroehlektroniki i Osobo Chistykh Materialov Rossijskoj Akademii Nauk, Chernogolovka (Russian Federation)
  • 2. Research Inst. for Materials, High Field Magnet Lab., Univ. of Nijmegen, Nijmegen (Netherlands)

Description

Features corresponding to the resonant tunneling of electrons from the Γ-valley of GaAs into the X-valley of AlAs are detected in volt-ampere characteristics of GaAs/AlAs/GaAs heterostructures. The tunnel effect is observed both through states corresponding to two-dimensional Xxy and Xz surbands in the AlAs layer and through impurity states bound to Xxy and Xz valleys. It is shown that the energy location of such donor states is determined by the spatial limitation of the AlAs layer and the biaxial compression of the AlAs layer due to the inconsistency of AlAs and GaAs lattice parameters. This allows to determine directly the binding energies of donor states for the Xxy-valley (∼ 70 meV) and the Xz-valley (∼ 50 meV)

Abstract (Russian)

На вольт-амперных характеристиках однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs обнаружены особенности, соответствующие резонансному туннелированию электронов из Γ-долины GaAs в Х-долину AlAs. Зарегистрировано туннелирование как через состояния, относящиеся к двумерным подзонам Xxy и Xz в слое AlAs, так и через связанные с ним примесные состояния. Показано, что энергетическое положение таких примесных состояний определяется пространственным ограничением слоя AlAs и двуосным сжатием слоя AlAs вследствие несовпадения постоянных решеток AlAs и GaAs. Это позволило впрямую определить энергию связи примесных состояний, которая составляет для Хz-долины ∼ 50 мэВ, а для Xxy-долины ∼ 70 мэВ

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Туннелирование через примесные состояния, связанные с X-долиной в тонком AlAs-барьере

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
35
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 206-210
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33043018
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ALUMINIUM ARSENIDES; BAND THEORY; BINDING ENERGY; BRILLOUIN ZONES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRONIC STRUCTURE; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; TUNNEL EFFECT
Descriptors DEC
ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; ELECTRICAL PROPERTIES; ENERGY; GALLIUM COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; ZONES

Optional Information

Notes
16 refs., 4 figs.