Report on work with the X-ray displacement interferometer. Pt. 3
Description
In the output signal of the X-ray displacement interferometer, the X-ray wave diffracted by the moving crystal, which varies in phase periodically as a function of the spacing of the lattice planes moving post the illuminated crystal section, is made to interfere with a suitable control wave. This way, the radiation flux in the outlet channel, which fluctuates in the same period, yields information on the number of lattice planes in the displacement length measured by light-optical methods. The interplanar spacing can thus be determined independent of the radiation wavelength. Using model examples, it is shown how disturbances in the atomic lattice structure of the moving crystal may affect the output signal and thus cause errors of measurement. (orig./HP)
Availability note (English)
Available from Fachinformationszentrum, Energie, Physik, Mathematik, Karlsruhe, Germany, F.R.Abstract (German)
Im Ausgangsignal des Roentgen-Verschiebeinterferometers wird die von dem bewegten Kristall abgebeugte Roentgenwelle, deren Phase periodisch mit dem gegenseitigen Abstand der am beleuchteten Kristallausschnitt vorbeibewegten Netzebenen schwankt, mit einer geeigneten Vergleichswelle zur Interferenz gebracht. Der mit der gleichen Periode schwankende Strahlungsfluss im Ausgangskanal gibt daher Information ueber die Zahl der Netzebenen in der lichtoptisch gemessenen Verschiebestrecke. Auf diese Weise ist eine Bestimmung des Netzebenenabstands unabhaengig von der Wellenlaenge der benutzten Roentgenstrahlung moeglich. Anhand von Modellbeispielen wird erlaeutert, wie sich Stoerungen im atomaren Gitteraufbau des bewegten Kristalls auf das Ausgangssignal auswirken und zu welchen Messfehlern sie fuehren koennen. (orig./HP)Additional details
Additional titles
- Subtitle (English)
- First determination of the (220) interplanar spacing of silicon
- Original title (German)
- Berichte ueber Arbeiten am Roentgen-Verschiebeinterferometer. T. 3
- Original subtitle (German)
- Erste Bestimmung des Netzebenenabstands (220) von Silizium.
Publishing Information
- Imprint Pagination
- 166 p.
- Report number
- PTB-APh--14
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 13654641
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Non-conventional Literature
- Descriptors DEI
- CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL LATTICES; HABIT PLANES; INTERFEROMETRY; MONOCRYSTALS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; X-RAY DIFFRACTION
- Descriptors DEC
- COHERENT SCATTERING; CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALS; DIFFRACTION; ELEMENTS; SCATTERING; SEMIMETALS