Published 2004 | Version v1
Journal article

Radiation defect complexes in ion irradiated aluminium nitride

  • 1. NII Vysokikh Napryazhenij pri Tomskom Politekhnicheskom Univ., Tomsk (Russian Federation)

Description

Using the methods of optical absorption and photoconductivity, the parameters of localized states of radiation-induced defect complexes in ion-irradiated and annealed aluminium nitride have been ascertained. Contributions of defect clusters with a continuous spectra of energy levels as well as radiation vacancy and impurity-vacancy defects with local energy levels in the material properties change were determined. The nature of radiation point defects clusters and impurity-vacancy complexes is established

Abstract (Russian)

Методами оптического поглощения и фотопроводимости исследованы параметры локализованных состояний комплексов дефектов в облученном ионами и отожженном нитриде алюминия. Определены вклады в изменение свойств материала кластеров дефектов с непрерывным спектром уровней и радиационных вакансионных и примесно-вакансионных дефектов с локальными уровнями. Установлена природа кластеров радиационных точечных дефектов и примесно-вакансионных комплексов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами нитриде алюминия

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov
Journal Issue
no.1
Journal Page Range
p. 5-12
ISSN
0015-3214
CODEN
FKOMAT

Optional Information

Notes
21 refs., 5 figs., 2 tabs.