Published September 2008
| Version v1
Journal article
Features of resist-free formation of masking pattern by electron beam-induced vapor deposition
Creators
- 1. Nauchno-Issledovatel'skij Fiziko-Khimicheskij Inst. im. L.Ya. Karpova, Moscow (Russian Federation)
- 2. RAN, Fiziko-Tekhnologicheskij Inst., Moscow (Russian Federation)
Description
Certain features of masking-pattern formation via electron beam-induced deposition from undecane vapor onto a copper substrate were considered. It was shown that the width of pattern bands formed on copper is substantially greater than that on SiO2 and is almost independent of their height (mask layer thickness). A strong dependence of the mask growth rate on the beam scan time was revealed, indicating the diffusion regime of the mask formation process. Through the mask, the substrate was etched with Ar ions. It was shown that the mask material is etched at a 1.3 times lower rate than copper
Abstract (Russian)
Рассмотрены некоторые закономерности формирования маскирующего изображения при электроннолучевом нанесении из паров ундекана на медный субстрат. Показано, что ширина полос маски, формирующихся на меди, существенно больше, чем на SiO2, и практически не зависит от их высоты (толщины слоя маски). Обнаружена сильная зависимость скорости роста толщины маски от времени развертки луча при сканировании, указывающая на диффузионный режим процесса формирования маски. Через нанесенную маску проведено травление субстрата ионами Ar. Показано, что материал маски травится со скоростью в 1.3 раза меньшей, чем медьAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Некоторые закономерности безрезистного формирования маскирующего изображения методом электронно-лучевого осаждения из паровой фазы
Publishing Information
- Journal Title
- Khimiya Vysokikh Ehnergij
- Journal Volume
- 42
- Journal Issue
- 5
- Journal Page Range
- p. 407-412
- ISSN
- 0023-1193
- CODEN
- KHVKAO
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 40088779
- Subject category
- S38: RADIATION CHEMISTRY, RADIOCHEMISTRY AND NUCLEAR CHEMISTRY;
- Descriptors DEI
- ALKANES; CHEMICAL RADIATION EFFECTS; CHEMICAL REACTION KINETICS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COPPER; ELECTRONS; ETCHING; FILMS; KEV RANGE 10-100; MASKING; ORGANIC POLYMERS; SUBSTRATES
- Descriptors DEC
- CHEMICAL COATING; DEPOSITION; ELEMENTARY PARTICLES; ELEMENTS; ENERGY RANGE; FERMIONS; HYDROCARBONS; KEV RANGE; KINETICS; LEPTONS; METALS; ORGANIC COMPOUNDS; POLYMERS; RADIATION EFFECTS; REACTION KINETICS; SURFACE COATING; SURFACE FINISHING; TRANSITION ELEMENTS
Optional Information
- Notes
- 7 refs., 4 figs., 2 tabs.