Published January 2005 | Version v1
Journal article

Effect of permittivity of heterogeneities of solid matrix on width of luminescence spectrum of erbium ions

  • 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)

Description

One calculated energy values of the Stark splitting of levels of Er3+ ions implanted in structures of silicon dioxide sandwich-type layers and quasi-ordered silicon nanocrystals. Splitting of levels is caused by electric field of image charges induced at the interface of layers differing in permittivity. The value of splitting is determined rise with increase of permittivity contrast in layers of silicon dioxide and silicon nanocrystals and when ion approaches the interface. The derived results explain adequately additional broadening of erbium photoluminescence band (0.8 eV) observed in the course of experiment with increase of peculiar dimensions of silicon nanocrystals

Abstract (Russian)

Выполнены расчеты энергий штарковского расщепления уровней ионов Er3+, имплантированных в структуры чередующихся слоев диоксида кремния и квазиупорядоченных кремниевых нанокристаллов. Расщепление уровней вызвано электрическим полем зарядов изображения, наводимых на границе раздела слоев с различными диэлектрическими проницаемостями. Установлено, что величина расщепления возрастает при увеличении контраста диэлектрической проницаемости в слоях диоксида кремния и кремниевых нанокристаллов, а также при приближении иона к границе раздела слоев. Полученные результаты хорошо объясняют наблюдающееся в эксперименте дополнительное уширение полосы эрбиевой фотолюминесценции (0.8 эВ) с ростом характерных размеров кремниевых нанокристаллов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние неоднородностей диэлектрической проницаемости твердотельной матрицы на ширину спектра люминесценции ионов эрбия

Publishing Information

Journal Title
Fizika Tverdogo Tela
Journal Volume
47
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 102-104
ISSN
0367-3294
CODEN
FTVTAC

Conference

Title
Nanophotonics-2004
Original Conference Title
Soveshchanie: Nanofotonika-2004
Acronym
Conference
Dates
2-6 May 2004
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Optional Information

Notes
8 refs., 5 figs.