Published April 2002 | Version v1
Journal article

Features of conductance of tunnel SIN- and SIS-contacts with chiral superconductors

Creators

  • 1. Fizicheskij Inst. im. P.N. Lebedeva RAN, Moscow (Russian Federation)

Description

The conductance peaks, originating due to the Andreev surface bound states in the tunnel SIN- and SIS-contacts with chiral superconductors at low temperatures are considered. It is shown that the G(V) conductance as the voltage function in the tunnel SIN-contacts is very sensitive to the barrier transparency dependence on the quasi-particles pulse direction. The weak magnetic field applied to the contact leads to the peaks shift in the conductance. The availability of the chiral levels of the Andreev bound states on both interface sides leads to the peak appearance in the conductance

Abstract (Russian)

Рассмотрены пики в кондактансе, возникающие из-за поверхностных андреевских связанных состояний, в туннельных SIN- и SIS-контактах с киральными сверхпроводниками при низких температурах. Показано, что в туннельных SIN-контактах кондактанс G(V) как функция напряжения очень чувствителен к зависимости прозрачности барьера от направления импульса квазичастиц. Приложенное к контакту слабое магнитное поле приводит к сдвигу пиков в кондактансе. В симметричных туннельных SIS-контактах наличие киральных уровней андреевских связанных состояний по обе стороны границы раздела приводит к появлению пика в кондактансе при V = 0

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Особенности кондактанса туннельных SIN- и SIS-контактов с киральными сверхпроводниками

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
75
Journal Issue
7-8
Journal Page Range
p. 455-458
ISSN
0370-274X
CODEN
PZETAB

Optional Information

Notes
14 refs., 2 figs.