Published December 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Structure perfection of four-layer GaxIn1-xAsyP1-y laser heterostructures

Creators

  • 1. RAN, Inst. Khimii Vysokochistykh Veshchestv, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Methods of X-ray diffraction analysis and topography are used to study structural perfection and coherent growth conditions for epitaxial layers in GaxIn1-xAsyP1-y solid solution base four-layer compositions grown on InP(001) substrates. The composition of active layer corresponds to photoluminescence wave length of 1.34 μm. The region of coherent growth and epitaxial layer critical thickness are determined depending on the value of crystal lattice parameter discrepancy at interfaces. The excess of experimental critical thickness over theoretical ones is revealed. It is shown that heterojunctions with layer thickness down to 9 μm can be grown free of misfit dislocations in a wide range of elastic strains of conjugate materials

Abstract (Russian)

Методами рентгеновской дифрактометрии и топографии исследовано структурное совершенство и условия когерентного роста эпитаксиальных слоев в четырехслойных гетерокомпозициях на основе твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y, выращенных на подложках InP(001). Определена область когерентного роста и критическая толщина эпитаксиальных слоев в зависимости от величины несоответствия периодов кристаллических решеток на границах раздела. Выявлено превышение экспериментальных критических толщин над теоретическими. Показано, что гетерокомпозиции со слоями толщиной до 9 мкм могут быть выращены без дислокаций несоответствия в широком интервале упругих деформаций сопряженных материалов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Структурное совершенство четырехслойных лазерных гетероструктур на основе твердых растворов Га

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
39
Journal Issue
12
Journal Page Range
p. 1428-1434
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
36100355
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ARSENIC ALLOYS; CRYSTAL LATTICES; EPITAXY; GALLIUM ALLOYS; INDIUM ALLOYS; INDIUM PHOSPHIDES; INTERFACES; LAYERS; PHOSPHORUS ADDITIONS; PHOTOLUMINESCENCE; SOLID SOLUTIONS; SUBSTRATES
Descriptors DEC
ALLOYS; CRYSTAL GROWTH METHODS; CRYSTAL STRUCTURE; DISPERSIONS; EMISSION; HOMOGENEOUS MIXTURES; INDIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; MIXTURES; PHOSPHIDES; PHOSPHORUS COMPOUNDS; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; SOLUTIONS

Optional Information

Notes
27 refs., 5 figs.