Published March 2002 | Version v1
Journal article Metadata-only

Influence of the annealing in oxygen radicals on luminescence and electric conductivity of ZnO:N films

Creators

  • 1. Fizicheskij Inst. im. P.N. Lebedeva RAN, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Inst. Problem Tekhnologii Mikroehlektroniki i Osobo Chistykh Materialov RAN, Chernogolovka, Moskovskaya Oblast' (Russian Federation)

Description

The study on the influence of the annealing of ZnO:N films in the maximum pressure atomic oxygen atmosphere is carried out. It is shown that doping of ZnO films by nitrogen acceptors during the growth process can result in formation of hole conductivity only after annealing them in atomic oxygen vapors. The annealing affects both the electrical properties and luminescence of ZnO:N films. Bands that have been caused by nitrogen doping appear in the ultraviolet as well as in he visible regions of photoluminescence spectra

Abstract (Russian)

Проведено исследование влияния отжига ZnO:N в атмосфере максимального давления атомарного кислорода на проводимость и люминесцентные свойства материала. Показано, что внедрение в процессе роста в пленки ZnO акцепторной примеси азота может привести к формированию дырочной проводимости лишь после отжига в парах атомарного кислорода. Отжиг влияет не только на электрические свойства, но и на люминесценцию пленок ZnO:N. В спектре фотолюминесценции появляются полосы в ультрафиолетовой и видимой областях, обусловленные внедрением азота

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO:H

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
36
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 284-288
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
34065034
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ANNEALING; CONCENTRATION RATIO; DOPED MATERIALS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; EMISSION SPECTRA; N-TYPE CONDUCTORS; NITROGEN ADDITIONS; P-TYPE CONDUCTORS; PHOTOLUMINESCENCE; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; ZINC OXIDES
Descriptors DEC
ALLOYS; CHALCOGENIDES; ELECTRICAL PROPERTIES; EMISSION; HEAT TREATMENTS; LUMINESCENCE; MATERIALS; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; PHOTON EMISSION; PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE; ZINC COMPOUNDS

Optional Information

Notes
11 refs., 4 figs., 1 tab.