Published October 2006 | Version v1
Journal article

Enhancement of the photoluminescence intensity of a single InAs/GaAs quantum dot by separate generation of electrons and holes

  • 1. Faculty of Physics, Sofia Univ., Sofia (Bulgaria)
  • 2. Dept. of Physics and Measurement Technology, Linkoeping Univ., Linkoeping (Sweden)
  • 3. A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg (Russian Federation)
  • 4. Materials Dept., Univ. of California, Santa Barbara, California (United States)
  • 5. Inst. de Microelectronica de Madrid, CNM-CSIC Isaak Newton 8, PTM, Madrid (Spain)

Description

It is demonstrated that the micro-photoluminescence spectrum of a single InAs/GaAs quantum dot undergoes considerable changes when the primary laser excitation is complemented with an additional infrared laser. The dependence of the observed phenomenon on the powers of the two lasers and the temperature has been studied and is in consistence with the model proposed

Abstract (Russian)

Показано, что микрофотолюминесцентный спектр одиночной InAs/GaAs квантовой ямы испытывает значительные изменения в тех случаях, когда первичное лазерное возбуждение сопровождается возбуждением инфракрасного лазера. Исследуется зависимость наблюдаемого явления от мощностей обоих лазеров и температуры. Полученные результаты подтверждают предложенную модель

Additional details

Publishing Information

Journal Title
Fizika Tverdogo Tela
Journal Volume
48
Journal Issue
10
Journal Page Range
p. 1877-1882
ISSN
0367-3294
CODEN
FTVTAC

Optional Information

Notes
20 refs., 5 figs.