Published May 2003
| Version v1
Journal article
Giant magnetoresistance oscillations caused by cyclotron resonance harmonics
Creators
- 1. RAS, Inst. of Solid State Physics, Chernogolovka, Moscow Region (Russian Federation)
Description
The article is devoted to the analysis of experimental observations and theoretical calculations of microwave-stimulated giant magnetoresistance oscillations (MSGMO). The analysis is carried out for high-mobility two-dimensional electrons at GaAs/AlGaAs heterojunctions. The main features of MSGMO in terms of the nonequilibrium occupation of broadened Landau levels under microwave radiation are explained. The proposed model predicts the appearance of the second harmonic in the Shubnikov-de Haas oscillations under the appropriate choice of microwave frequency and sample parameters
Abstract (Russian)
Статья посвящена анализу экспериментальных наблюдений и теоретических расчетов гигантских колебаний магнитосопротивления, стимулированных действием микроволнового излучения (МСГМК). Анализ выполнен для двумерных электронов, имеющих высокую подвижность, на гетеропереходах GaAs/AlGaAs. Дано объяснение главным особенностям МСГМК с точки зрения неравновесного заселения расширенных уровней Ландау при микроволновом облучении. Предложенная модель предсказывает появление второй гармоники в колебаниях Шубникова-де Хааза при соответствующем выборе микроволновой частоты и параметров образцаAdditional details
Publishing Information
- Journal Title
- Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
- Journal Volume
- 77
- Journal Issue
- 9-10
- Journal Page Range
- p. 681-685
- ISSN
- 0370-274X
- CODEN
- PZETAB
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35092223
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ALUMINIUM ARSENIDES; CYCLOTRON RESONANCE; ENERGY LEVELS; GALLIUM ARSENIDES; GINZBURG-LANDAU THEORY; HETEROJUNCTIONS; MAGNETORESISTANCE; MICROWAVE RADIATION; OCCUPATION NUMBER; TWO-DIMENSIONAL CALCULATIONS
- Descriptors DEC
- ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; ELECTROMAGNETIC RADIATION; GALLIUM COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; RADIATIONS; RESONANCE; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS
Optional Information
- Notes
- 18 refs., 3 figs.